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M7貼片二極管

發(fā)布日期:2019-11-26 15:41:09  瀏覽次數(shù):278

穩(wěn)壓二極管工作原理 

一、穩(wěn)壓二極管原理及特性 

一般三極管都是正向?qū)ǎ聪蚪刂?;加在二極管上的反向電壓如果超過二極管的承受能力,二極管就要擊穿損毀。但是有一種二極管,它的正向特性與普通二極管相同,而反向特性卻比較特殊:當(dāng)反向電壓加到一定程度時(shí),雖然管子呈現(xiàn)擊穿狀態(tài),通過較大電流,卻不損毀,并且這種現(xiàn)象的重復(fù)性很好;只要管子處在擊穿狀態(tài),盡管流過管子的電在變化很大, 而管子兩端的電壓卻變化極小起到穩(wěn)壓作用。這種特殊的二極管叫穩(wěn)壓管。 

穩(wěn)壓管的型號(hào)有2CW、2DW 等系列,它的電路符號(hào)如圖517所示。 

 

穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓特性,可用圖518所示伏安特性 曲線很清楚地表示出來。 

 

穩(wěn)壓管是利用反向擊多區(qū)的穩(wěn)壓特性進(jìn)行工作的,因此,穩(wěn)壓管在電路中要反向連接。穩(wěn)壓管的反向擊穿電壓稱為穩(wěn)定電壓,不同類型穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓也不一

 

 

 

 

樣,某一型號(hào)的穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值固定在口定范圍。例 如:2CW11的穩(wěn)壓值是3.2伏到45伏,其中某一只管子的穩(wěn)壓值可能是35伏,另一只管子則可能是4,2伏。 

在實(shí)際應(yīng)用中,如果選擇不到穩(wěn)壓值符合需要的穩(wěn)壓管,可以選用穩(wěn)壓值較低的穩(wěn)壓管,然后串聯(lián)幾只硅二極管“枕墊”,把穩(wěn)定電壓提高到所需數(shù)值。這是利用硅二極管的正向壓降為0607伏的特點(diǎn)來進(jìn)行穩(wěn)壓的。因此,二極管在電路中必須正向連接,這是與穩(wěn)壓管不同的。 

  穩(wěn)壓管穩(wěn)壓性能的好壞,可以用它的動(dòng)態(tài)電阻r 表示: 

 

  顯然,對(duì)于同樣的電流變化量ΔI,穩(wěn)壓管兩端的電壓變化量ΔU越小,動(dòng)態(tài)電阻越小,穩(wěn)壓管性能就越好。 

  穩(wěn)壓管的動(dòng)態(tài)電阻是隨工作電流變化的,工作電流越大,動(dòng)態(tài)電阻越小。因此,為使穩(wěn)壓效果好,工作電流要選得合適。工作電流選得大些,可以減小動(dòng)態(tài)電阻,但不能超過管子的最大允許電流(或最大耗散功率)。 各種型號(hào)管子的工作電流和最大允許電流,可以從手冊(cè)中查到。 

  穩(wěn)壓管的穩(wěn)定性能受溫度影響,當(dāng)溫度變化時(shí),它的穩(wěn)定電壓也要發(fā)生變化,常用穩(wěn)定電壓的溫度系數(shù)來表示,這種性能例如2CW19型穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓Uw= 12伏,溫度系數(shù)為0.095% ,說明溫度每升高1℃,其穩(wěn)定電壓升高11.4毫伏。為提高電路的穩(wěn)定性能,往往采用適當(dāng)?shù)臏囟妊a(bǔ)償措施。在穩(wěn)定性能要求很高時(shí),需使用具有溫度補(bǔ)償?shù)姆€(wěn) 壓,如2DW7A2DW7W2DW7C 等。 二、穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓電路圖 

  由硅穩(wěn)壓管組成的簡(jiǎn)單穩(wěn)壓電路如圖5- l9a)所示。硅穩(wěn)壓管DW與負(fù)載Rfz,并聯(lián),R1為限流電阻。 

 

 

 

 

 

 

 

 個(gè)電路是怎樣進(jìn)行穩(wěn)壓的呢? 

若電網(wǎng)電壓升高,整流電路的輸出電壓Usr也隨之升高,引起負(fù)載電壓Usc 升高。由于穩(wěn)壓管DW與負(fù)載Rfz并聯(lián),Usc 只要有根少一點(diǎn)增長(zhǎng),就會(huì)使流過穩(wěn)壓管的電流急劇增加,使得I1也增大,限流電阻R1上的電壓降增大,從而抵消了Usr的升高,保持負(fù)載電壓Usc 基本不變。反之,若電網(wǎng)電壓降低,引起Usr下降,造成Usc 也下降,則穩(wěn)壓管中的電流急劇減小,使得I1減小,R1上的壓降也減小,從而抵消了Usr的下降,保持負(fù)載電壓Usc 基本不變。 

Usr不變而負(fù)載電流增加,則R1上的壓降增加,造成負(fù)載電壓Usc 下降。Usc只要下降一點(diǎn)點(diǎn),穩(wěn)壓管中的電流就迅速減小,使R1上的壓降再減小下來,從而保持R1上的壓降基本不變,使負(fù)載電壓Usc 得以穩(wěn)定。 

 

  綜上所述可以看出,穩(wěn)壓管起著電流的自動(dòng)調(diào)節(jié)作用,而限流電阻起著電壓調(diào)整作用。穩(wěn)壓管的動(dòng)態(tài)電阻越小,限流電阻越大,輸出電壓的穩(wěn)定性越好。

 

 

穩(wěn)壓二極管,英文名稱Zener diode,又叫齊納二極管。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點(diǎn)上,反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值,在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定,穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的,因?yàn)檫@種特性,穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用.其伏安特性見圖1,穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用,通過串聯(lián)就可獲得更多的穩(wěn)定電壓。

 

穩(wěn)壓二極管工作原理一種用于穩(wěn)定電壓的單結(jié)二極管。它的伏安特性,穩(wěn)壓二極管符號(hào)如圖1所示。結(jié)構(gòu)同整流二極管。加在穩(wěn)壓二極管的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí),將可能有大量載流子隧穿偽結(jié)的位壘,形成大的反向電流,此時(shí)電壓基本不變,稱為隧道擊穿。當(dāng)反向電壓比較高時(shí),在位壘區(qū)內(nèi)將可能產(chǎn)生大量載流子,受強(qiáng)電場(chǎng)作用形成大的反向電流,而電壓亦基本不變,為雪崩擊穿。因此,反向電壓臨近擊穿電壓時(shí),反向電流迅速增加,而反向電壓幾乎不變。這個(gè)近似不變的電壓稱為齊納電壓(隧道擊穿)或雪崩電壓(雪崩擊穿) 。

 

穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)  1.Vz— 穩(wěn)定電壓。   指穩(wěn)壓管通過額定電流時(shí)兩端產(chǎn)生的穩(wěn)定電壓值。該值隨工作電流和溫度的不同而略有改變。由于制造工藝的差別,同一型號(hào)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值也不完全一致。例如,2CW51型穩(wěn)壓管的Vzmin3.0V, Vzmax則為3.6V。  2.Iz— 穩(wěn)定電流。   指穩(wěn)壓管產(chǎn)生穩(wěn)定電壓時(shí)通過該管的電流值。低于此值時(shí),穩(wěn)壓管雖并非不能穩(wěn)壓,但穩(wěn)壓效果會(huì)變差;高于此值時(shí),只要不超過額定功率損耗,也是允許的,而且穩(wěn)壓性能會(huì)好一些,但要多消耗電能。  3.Rz— 動(dòng)態(tài)電阻。   指穩(wěn)壓管兩端電壓變化與電流變化的比值。該比值隨工作電流的不同而改變,一般勝作電流愈大,動(dòng)態(tài)電阻則愈小。例如,2CW7C穩(wěn)壓管的工作電流為5mA時(shí),Rz18Ω;工作電流為1OmA時(shí),Rz8Ω;20mA時(shí),Rz2Ω  > 20mA則基本維持此數(shù)值。  4.Pz— 額定功耗。   由芯片允許溫升決定,其數(shù)值為穩(wěn)定電壓Vz和允許最大電流Izm的乘積。例如2CW51穩(wěn)壓管的Vz3V,Izm20mA,則該管的Pz60mWo  5.Ctv— 電壓溫度系數(shù)。   是說明穩(wěn)定電壓值受溫度影響的參數(shù)。例如2CW58穩(wěn)壓管的Ctv+0.07%/°C,即溫度每升高1°C,其穩(wěn)壓值將升高0.07%。  6.IR— 反向漏電流。   指穩(wěn)壓二極管在規(guī)定的反向電壓下產(chǎn)生的漏電流。例如2CW58穩(wěn)壓管的VR=1V時(shí),IR=O.1uA;VR=6V時(shí),IR=10uA。  ()選擇二極管的基本原則   1.要求導(dǎo)通電壓低時(shí)選鍺管;要求反向電流小時(shí)選硅管。  2.要求導(dǎo)通電流大時(shí)選面結(jié)合型;要求工作頻率高時(shí)選點(diǎn)接觸型。  3.要求反向擊穿電壓高時(shí)選硅管。  4.要求耐高溫時(shí)選硅管。

 

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載流子二極管。

 

肖特基二極管是以其發(fā)明人華特?肖特基博士(Walter Hermann Schottky,1886年7月23—1976年3月4日)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管



 
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