三極管是一種固態裝置元件，它具有體積小、效率高、壽命長及速度快等優點。近年來由于技術的進步，已有大量的耐高壓、能承受大功率的晶體被制造出來，因此電晶體在功率放大上，一直扮演著重要的角色。
電晶體的結構很像二極體，不過比二極體多出了一個 接合面。將二層n型半導體，中間夾以一層很薄的p型半導體，即成npn型電晶體；或 將二層p型半導體，中間夾以一層很薄的n型半導體，即成pnp型電晶體。
三極管將電晶體的三層晶片都分別列出接線成為電極，中間一片稱為基極(base,b)，另兩極分別稱為射極(emitter,e) 及集極(collector,c)。射極能發射多數載體，基極可控制流向集極之多數載體的數量。集極則能收集射極發射的多數載體，如圖3-15(b)所示，為電晶體的符號，射極之箭頭向外的為npn型；射極之箭頭向內的為pnp型。
NPN和PNP主要就是電流方向和電壓正負不同，說得“專業”一點，就是“極性”問題。
NPN三極管 是用 B→E 的電流（IB）控制 C→E 的電流（IC），E極電位低，且正常放大時通常C極電位最高，即 VC > VB > VE
PNP 是用 E→B 的電流（IB）控制 E→C 的電流（IC），E極電位最高，且正常放大時通常C極電位低，即 VC < VB < VE
總之 VB 一般都是在中間，VC 和 VE 在兩邊，這跟通常的 BJT 符號中的位置是一致的，你可以利用這個幫助你的形象思維和記憶。而且BJT的各極之間雖然不是純電阻，但電壓方向和電流方向同樣是一致的，不會出現電流從低電位處流行高電位的情況。
如今流行的電路圖畫法，也就是“正電源在上負電源在下”。那NPN電路中，E 最終都是接到地板（直接或間接），C 最終都是接到天花板（直接或間接）。
PNP三極管電路則相反，C 最終都是接到地板（直接或間接），E 最終都是接到天花板（直接或間接）。這也是為了滿足上面的VC 和 VE的關系。一般的電路中，有了NPN的，你就可以按“上下對稱交換”的方法得到 PNP 的版本。無論何時，只要滿足上面的6個“極性”關系（4個電流方向和2個電壓不等式），BJT電路就可能正常工作。當然，要保證正常工作，還必須保證這些電壓、電流滿足一些進一步的定量條件，即所謂“工作點”條件。
對于NPN電路：
對于共射組態，可以粗略理解為把VE當作“固定”參考點，通過控制VB來控制VBE（VBE=VB-VE），從而控制IB，并進一步控制IC（從電位更高的地方流進C極，你也可以把C極看作朝上的進水的漏斗）。 對于共基組態，可以理解為把VB當作固定參考點，通過控制VE來控制VBE（VBE=VB-VE），從而控制IB，并進一步控制IC。
如果所需的輸出信號不是電流形式，而是電壓形式，這時就在 C 極加一個電阻 RC，把 IC 變成電壓 IC*RC。但為滿足 VC>VE， RC 另一端不接地，而接正電源。 而且純粹從BJT本身角度，而不考慮輸入信號從哪里來，共射組態和共基組態其實很相似，反正都是控制VBE，只不過一個“固定” VE，改變VB，一個固定VB，改變VE。
三極管對于共射組態，沒有“固定參考點”了，可以理解為利用VBE隨IC或IE變化較小的特性，使得不論輸出電流IE怎么變化（當然也有個限度），VE基本上始終跟隨VB變化（VE=VB-VBE），VB升高，VE也升高，VB降低，VE也降低，這就是電壓跟隨器的名稱的由來。
PNP電路跟NPN是對稱的，例如：
對于共射組態，可以粗略理解為把VE當作“固定”參考點，通過控制VB來控制VEB（VEB=VE-VB），從而控制IB，并進一步控制IC（從C極流向電位更低的地方，你也可以把C極看作朝下的出水管）。
對于共基組態，可以理解為把VB當作固定參考點，通過控制VE來控制VEB（VEB=VE-VB），從而控制IB，并進一步控制IC。
??
上面所有的VE的“固定”二字都加了引號。因為E點有時是串聯負反饋的引入點，這時VE也是變化的，但這個變化是反饋信號，即由VB變化這個因造成的果。
型號 極性 PCM(W） ICM（mA） BU(CEO)V fT(MHZ) hFE 主要用途 9011 NPN 0.4 30 50 370
28～198 通用功率放大
9012 PNP 0.625 500 40
64～202
9013 NPN 0.625 500 40 64～202
9014 NPN 0.625 100 50 270 60～1000 9015 PNP 0.45 100 50 190 60～600 9016 NPN 0.4 25 30 620 28～198 低噪聲放大管 9018 NPN 0.4 50 30 1100 28～198 低噪聲高頻放大管 8050 NPN 1 1.5A 25 190 85～300 通用功率放大管 8550 PNP
1
1.5A
25
200
60～300
通用功率放大管
901x系列三極管
9011,9012,9013,9014,8050,8550三極管的區別
9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍數20-80 9012 PNP 50V 500mA 600mW 低頻管 放大倍數30-90 9013 NPN 20V 625mA 500mW 低頻管 放大倍數40-110 9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍數20-90 8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍數30-100 8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍數40-140
詳情如下： 90系列三極管參數
90系列三極管大多是以90字為開頭的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90開頭的，它們的特性及管腳排列都是一樣的。
9011 結構：NPN
集電極-發射極電壓 30V 集電極-基電壓 50V 射極-基極電壓 5V 集電極電流 0.03A 耗散功率 0.4W 結溫 150℃
特怔頻率 平均 370MHZ
放大倍數：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9012 結構：PNP
集電極-發射極電壓 -30V 集電極-基電壓 -40V 射極-基極電壓 -5V 集電極電流 0.5A 耗散功率 0.625W 結溫 150℃
特怔頻率 最小 150MHZ
放大倍數：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9013 結構：NPN
集電極-發射極電壓 25V
集電極-基電壓 45V 射極-基極電壓 5V 集電極電流 0.5A 耗散功率 0.625W 結溫 150℃
特怔頻率 最小 150MHZ
放大倍數：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9014 結構：NPN
集電極-發射極電壓 45V 集電極-基電壓 50V 射極-基極電壓 5V 集電極電流 0.1A 耗散功率 0.4W 結溫 150℃
特怔頻率 最小 150MHZ
放大倍數：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9015 結構：PNP
集電極-發射極電壓 -45V 集電極-基電壓 -50V 射極-基極電壓 -5V 集電極電流 0.1A 耗散功率 0.45W 結溫 150℃
特怔頻率 平均 300MHZ
放大倍數：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9016 結構：NPN
集電極-發射極電壓 20V 集電極-基電壓 30V 射極-基極電壓 5V 集電極電流 0.025A 耗散功率 0.4W 結溫 150℃
特怔頻率 平均 620MHZ
放大倍數：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9018 結構：NPN
集電極-發射極電壓 15V 集電極-基電壓 30V 射極-基極電壓 5V 集電極電流 0.05A 耗散功率 0.4W 結溫 150℃
特怔頻率 平均 620MHZ
放大倍數：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
三極管8550
8550是一種常用的普通三極管。
它是一種低電壓,大電流,小信號的PNP型硅三極管 集電極-基極電壓Vcbo：-40V 工作溫度：-55℃ to +150℃ 和8050（NPN）相對
主要用途： 開關應用，射頻放大
三極管8050
8050是常用的NPN小功率三級管，下面是的8050引腳圖參數資料。 <8050管腳圖>
8050三級管參數:類型:開關型; 極性:NPN; 材料:硅; 最大集存器電流(A):0.5 A; 直流電增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器發射電（VCEO）:25; 頻率:150 KHz
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K 2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
