絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（Power MOSFET）的優點，具有良好的特性，應用領域很較多 ；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發射極。
電力MOSFET器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導電、P溝道MOSFET中僅空穴導電）、電壓控制型開關器件；因此其通、斷驅動控制功率很小，開關速度迅速；但通態降壓大，難于制成高壓大電流開關器件。電力三極晶體管是雙極型（其中，電子、空穴兩種多數載流子都參與導電）、電流控制型開關器件；因此其通-斷控制驅動功率大，開關速度不夠迅速 ；但通態壓降低，可制成較高電壓和較大電流的開關器件。為了兼有這兩種器件的優點，棄其缺點，20世紀80年代中期出現了將它們的通、斷機制相結合的新一代半導體電力開關器件——絕緣柵極雙極型晶體管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）。它是一種復合器件，其輸入控制部分為MOSFET，輸出級為雙級結型三極晶體管；因此兼有MOSFET和電力晶體管的優點，即高輸入阻抗，電壓控制，驅動功率小，開關速度迅速 ，工作頻率可達到10~40kHz（比電力三極管高），飽和壓降低（比MOSFET 小得多，與電力三極管相當），電壓、電流容量較大，安全工作區域寬。目前2500~3000V、800~1800A的IGBT器件已有產品，可供幾千kVA以下的高頻電力電子裝置選用。
IGBT的符號、內部結構等值電路及靜態特性。IGBT也有3個電極：柵極G、發射極E和集電極C。輸入部分是一個MOSFET管，圖1中Rdr表示MOSFET的等效調制電阻（即漏極-源極之間的等效電阻RDS）。輸出部分為一個PNP三極管T1，此外還有一個內部寄生的三極管T2（NPN管），在NPN晶體管T2的基極與發射極之間有一個體區電阻Rbr。
當柵極G與發射極E之間的外加電壓UGE=0時，MOSFET管內無導電溝道，其調制電阻Rdr可視為無窮大，Ic=0，MOSFET處于斷態。在柵極G與發射極E之間的外加控制電壓UGE，可以改變MOSFET管導電溝道的寬度，從而改變調制電阻Rdr，這就改變了輸出晶體管T1（PNP管）的基極電流，控制了IGBT管的集電極電流Ic。當UGE足夠大時（例如15V），則T1飽和導電，IGBT進入通態。一旦撤除UGE，即UGE=0，則MOSFET從通態轉入斷態，T1截止，IGBT器件從通態轉入斷態。
