對于可編程晶振調整頻率可以直接使用說明進行操作。晶體振蕩器單元的實際驅動電平在驅動電平規格內。晶振作為電子產品中的必需品，廣泛應用于各個領域，存在各種問題，如晶振異常振蕩頻率、晶振異常振蕩頻率包括無頻率信號號輸出以及實際振蕩頻率與標稱頻率的差異等。
過高的驅動電平可能導致更高的振蕩頻率或更大的R1。如何衡量駕駛水平如果實際負載電容與規格中規定的負載電容不同，實際振蕩頻率可能與晶體單元的標稱頻率不同。這個頻率差可以通過以下措施來調整：
電路板上的負載電容似乎大于6pF。因此，使用8pF作為負載電容會改變規定的30MHz應時晶體振蕩器單元。通過這種改變，實際振蕩頻率由30MHz降低到5ppm，頻率差可以調節，這些方面都是根據自己的需求進行選擇。
晶體單元的實際驅動電平超過其規定的最大值。重要的是，壓電應時晶振單元的實際驅動水平在驅動水平規格內。過高的驅動電平可能導致更高的振蕩頻率或更大的R1。請參考下面如何衡量駕駛水平：如果要降低驅動級別，可以采取以下措施：
1、改變阻尼電阻：
通過改變阻尼電阻，反相放大器的輸出幅度衰減，實際驅動電平變低。通過這種變化，振蕩幅度會減小。因此，可檢查振蕩裕量是否超過5倍。此外，應注意不要使振蕩幅度過小。
2、改變外部負載電容：
通過改變外部負載電容，由于振蕩電路的高阻抗，實際驅動電平變低。在這種情況下，由于負載電容較小，應時晶振的實際振蕩頻率變高。因此，可檢查實際振蕩頻率是否在所需的頻率范圍內。
晶體單元的振蕩頻率根據其規格中規定的負載電容進行分類。因此，如果實際負載電容與規格中規定的負載電容不同，實際振蕩頻率可能與晶體單元的標稱頻率不同。這個頻率差可以通過以下措施來調整：
調整外部負載電容。為了改變外部負載電容，實際振蕩頻率變低。如果外部負載電容較大，請注意振蕩裕量會較低。外部負載電容較大時，振蕩幅度可能很小。更換不同負載電容的晶振單元。為了應用負載電容大的晶胞，實際振蕩頻率變高。比如：需要30MHz的頻率，用一個規定頻率為30MHz的晶振單元作為負載電容，額定頻率為6pF。確認實際振蕩從30MHz低至30ppm。振蕩電路可能無法在晶體單元的標稱頻率附近工作，這被稱為“不規則振蕩”，然后根據相關的說明操作即可。