擴散爐主要滿足半導體電力電子器件、大功率集成電路等行業，對所加工硅片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統、控制系統、超凈化操作系統等組成。選用工控機微控方式或者程控方式操作。
擴散爐技術指標：
t可處理硅片尺寸：212英寸
t外型形式：臥式14管結構
t工作溫度：200℃1300℃
t恒溫區長度及精度：200mm1100mm≤±0.5℃
t單點溫度穩定性、重復性： ≤±1℃/24h
t溫度斜變： 可控升溫速率15℃／min
t可控降溫速率： 5℃／min
t送片裝置：全自動懸臂推拉舟、拉桿式推拉舟
t氣路系統：15路工藝氣體／管
t氣體控制：全自動MFC
t控制方式：工控機、觸摸屏
