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四管擴散爐主要滿足半導體電力電子器件、大功率集成電路等行業(yè),對所加工硅片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、超凈化操作系統(tǒng)組成。選用工控機微控方式或程控方式操作。
爐管配置:1-4管/臺
晶圓規(guī)格:4"、5"、6"、8"
爐體控制段:3/5段
恒溫區(qū)長:760(800)mm / 1000mm
反應室配置:石英管/碳化硅管
加熱體材料:KANTHAL APM/A-1 或相當
溫度均勻性:800-1300℃ /±0.5℃
300-900℃ /±1℃
工藝溫度范圍:300-1300℃
最大可控升溫速度:15-20℃/min
最大降溫速度:(1250~1000℃ ) 8℃/min
控制系統(tǒng):工業(yè)計算機(10"-15"液晶屏)
送片系統(tǒng):SiC懸臂/雙石英桿
凈化等級:100級或更好
凈化風流:水平或垂直
送片速度:100mm-500mm/min
定位精度:2mm
氣源氣路:EP級316L管道1/4"或3/8"
閥門組件:SWAGELOK或相當
管道焊接:自動軌道焊接
工藝保證:提供典型的工藝