四管擴散爐主要滿足半導體電力電子器件、大功率集成電路等行業，對所加工硅片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統、控制系統、超凈化操作系統組成。選用工控機微控方式或程控方式操作。

爐管配置：1-4管/臺
晶圓規格：4"、5"、6"、8"
爐體控制段：3/5段
恒溫區長：760（800）mm / 1000mm
反應室配置：石英管/碳化硅管
加熱體材料：KANTHAL APM/A-1 或相當
溫度均勻性：800-1300℃ /±0.5℃
300-900℃ /±1℃
工藝溫度范圍：300-1300℃
最大可控升溫速度：15-20℃/min
最大降溫速度：（1250～1000℃ ) 8℃/min
控制系統：工業計算機(10"-15"液晶屏)
送片系統：SiC懸臂/雙石英桿
凈化等級：100級或更好
凈化風流：水平或垂直
送片速度：100mm-500mm/min
定位精度：2mm
氣源氣路：EP級316L管道1/4"或3/8"
閥門組件：SWAGELOK或相當
管道焊接：自動軌道焊接
工藝保證：提供典型的工藝