pecvd設(shè)備的價(jià)格

用等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積法(PECVD)是在等離子的幫助下進(jìn)行處理的薄膜沉積工藝。在眾多的等離子產(chǎn)生辦法中，泰斯達(dá)PECVD反應(yīng)系統(tǒng)使用了高密度的等離子源，如高頻（RF-PECVD）、微波（MW-PECVD）和電子回旋共振（ECR-PECVD）。其濃密的等離子適用于薄膜太陽(yáng)能電池、表面改性、光和工業(yè)鍍覆、氮化硅鈍化、金剛石薄膜和其他。泰斯達(dá)所提供的PECVD系統(tǒng)可為客戶個(gè)體制造和研發(fā)需求量身定制。

RF-PECVD

非晶和微晶硅薄膜可以通過(guò)RF-PECVD進(jìn)行高經(jīng)濟(jì)效益的沉積。這些薄膜組成了非晶硅太陽(yáng)能電池的吸光層或串聯(lián)硅電池（非晶硅+微晶硅）。我們提供了為客戶設(shè)計(jì)的RF-PECVD系統(tǒng)，可以在任何類型的太陽(yáng)能電池上使用。非晶硅太陽(yáng)能電池的泰斯達(dá)標(biāo)準(zhǔn)的RF-PECVD系統(tǒng)被配置為四個(gè)處理室群。其設(shè)計(jì)可處理高達(dá)12"/300 mm見方的基板。處理室可以自動(dòng)或手動(dòng)裝載。這個(gè)系統(tǒng)是與FCS-10/30處理控制器和DCS30數(shù)據(jù)收集系統(tǒng)同時(shí)出現(xiàn)的。