不銹鋼晶間腐蝕B法實驗

歡迎咨詢  陳先生
電話：051082031661    手機：13395199360

 20世紀30年代以來,對晶間腐蝕進行了大量研究,所提出的貧化理論，特別是對奧氏體不銹鋼的貧鉻理論已得到證實，并將貧化理論應用到鋁銅合金的貧銅及鎳鉬合金的貧鉬等方面。前者在晶界上析出了CuAl2,后者在晶界上析出了Mo2C。

晶間腐蝕機理 貧鉻理論是奧氏體不銹鋼晶間腐蝕主要理論。從相圖得知，不銹鋼中碳在奧氏體里的固溶度隨著溫度的升高而增加，500～700℃時，1Cr18Ni9鋼中碳在奧氏體里的平均固溶度不超過0.01％。奧氏體不銹鋼經固溶處理快速冷卻后，奧氏體中的碳處于過飽和狀態。當這種鋼在敏化溫度范圍(427～816℃)內受熱時，奧氏體中過飽和的碳會迅速地向晶界擴散,在晶界上,碳消耗了晶界周圍的鉻，與鉻形成鉻的碳化物，由于鉻的擴散速度太慢而得不到及時的補充，結果在晶界周圍形成嚴重的貧鉻區（圖3）。1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼的貧鉻區的寬度約為2000┱左右，貧鉻區的含鉻量低于9.28％,亦即低于鈍化所需要的含鉻量。貧鉻區和晶粒本身的電化學性能的差異，使貧鉻區（陽極）和處于鈍化態的基體（陰極）之間建立起一個具有很大電位差的活化-鈍化電池。貧鉻區的小陽極和基體的大陰極構成腐蝕電池，使貧鉻區受到晶間腐蝕。同樣,由于晶界區析出σ相而引起的晶界貧鉻區，也可用貧鉻理論來進行解釋。貧鉻理論適用于在弱氧化性介質中發生的晶間腐蝕。