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 20世紀(jì)30年代以來(lái),對(duì)晶間腐蝕進(jìn)行了大量研究,所提出的貧化理論，特別是對(duì)奧氏體不銹鋼的貧鉻理論已得到證實(shí)，并將貧化理論應(yīng)用到鋁銅合金的貧銅及鎳鉬合金的貧鉬等方面。前者在晶界上析出了CuAl2,后者在晶界上析出了Mo2C。

晶間腐蝕機(jī)理 貧鉻理論是奧氏體不銹鋼晶間腐蝕主要理論。從相圖得知，不銹鋼中碳在奧氏體里的固溶度隨著溫度的升高而增加，500～700℃時(shí)，1Cr18Ni9鋼中碳在奧氏體里的平均固溶度不超過(guò)0.01％。奧氏體不銹鋼經(jīng)固溶處理快速冷卻后，奧氏體中的碳處于過(guò)飽和狀態(tài)。當(dāng)這種鋼在敏化溫度范圍(427～816℃)內(nèi)受熱時(shí)，奧氏體中過(guò)飽和的碳會(huì)迅速地向晶界擴(kuò)散,在晶界上,碳消耗了晶界周圍的鉻，與鉻形成鉻的碳化物，由于鉻的擴(kuò)散速度太慢而得不到及時(shí)的補(bǔ)充，結(jié)果在晶界周圍形成嚴(yán)重的貧鉻區(qū)（圖3）。1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼的貧鉻區(qū)的寬度約為2000┱左右，貧鉻區(qū)的含鉻量低于9.28％,亦即低于鈍化所需要的含鉻量。貧鉻區(qū)和晶粒本身的電化學(xué)性能的差異，使貧鉻區(qū)（陽(yáng)極）和處于鈍化態(tài)的基體（陰極）之間建立起一個(gè)具有很大電位差的活化-鈍化電池。貧鉻區(qū)的小陽(yáng)極和基體的大陰極構(gòu)成腐蝕電池，使貧鉻區(qū)受到晶間腐蝕。同樣,由于晶界區(qū)析出σ相而引起的晶界貧鉻區(qū)，也可用貧鉻理論來(lái)進(jìn)行解釋。貧鉻理論適用于在弱氧化性介質(zhì)中發(fā)生的晶間腐蝕。