中頻爐在使用中產(chǎn)生大量的諧波，諧波對(duì)中頻爐設(shè)備的危害是相當(dāng)大的。
諧波會(huì)引起電力系統(tǒng)局部并聯(lián)諧振或串聯(lián)諧振，使諧波含量放大，造成電容補(bǔ)償設(shè)備等設(shè)備燒毀。諧波還會(huì)引起繼電器保護(hù)和自動(dòng)裝置誤動(dòng)作，使電能計(jì)量出現(xiàn)混亂。導(dǎo)致電網(wǎng)中的諧波污染非常嚴(yán)重。對(duì)于電力系統(tǒng)外部，諧波會(huì)對(duì)通信設(shè)備和電子設(shè)備產(chǎn)生嚴(yán)重干擾，因而，改善中頻爐電力品質(zhì)成為應(yīng)對(duì)的主要著力點(diǎn)。
濾除諧波的方法
1、濾除中頻爐系統(tǒng)諧波的傳統(tǒng)方法是LC濾波器，LC濾波器是傳統(tǒng)的無(wú)源諧波抑制裝置，由濾波電容器、電抗器和電阻器適當(dāng)組合而成，與諧波源并聯(lián)，除起濾波作用外，還兼顧無(wú)功補(bǔ)償?shù)男枰＿@種濾波器出現(xiàn)最早，成本比較低，但同時(shí)存在一些較難克服的缺點(diǎn)，比如只能針對(duì)單次諧波，容易產(chǎn)生諧波共振，導(dǎo)致設(shè)備損毀，隨著時(shí)間諧振點(diǎn)會(huì)漂移，導(dǎo)致諧波濾除效果越來(lái)越差。同時(shí)，這一方式無(wú)法應(yīng)對(duì)瞬變、浪涌和高次諧波，存在節(jié)能的漏洞。
2、諧波抑制的另一個(gè)比較新的方法是采用有源電力濾波器(Active Power Filter--APF)。它是一種電力電子裝置，其基本原理是從補(bǔ)償對(duì)象中檢測(cè)出諧波電流，由補(bǔ)償裝置產(chǎn)生一個(gè)與該諧波電流大小相等而極性相反的補(bǔ)償電流，從而使電網(wǎng)電流只含基波分量。這種濾波器能對(duì)頻率和幅值都變化的諧波進(jìn)行跟蹤補(bǔ)償，且補(bǔ)償特性不受電網(wǎng)阻抗的影響，因而受到廣泛的重視，并且已在日本等國(guó)獲得廣泛應(yīng)用。但有源電力濾波器成本高昂，價(jià)格昂貴，投資回報(bào)期長(zhǎng)，大多數(shù)企業(yè)難以承受。以上內(nèi)容由西安藍(lán)輝科技股份有限公司與你分享，若有謬誤，敬請(qǐng)指正。
西安藍(lán)輝科技股份有限公司是中國(guó)鍛壓協(xié)會(huì)、鑄造協(xié)會(huì)會(huì)員單位，專(zhuān)業(yè)從事各種電氣控制、電爐及電解鋁行業(yè)專(zhuān)用設(shè)備的開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)制造、銷(xiāo)售和服務(wù)，竭誠(chéng)為廣大客服提供各型中頻電源，中頻感應(yīng)透熱、淬火、熔煉及保溫成套設(shè)備、KGPS、IGBT、MOS超聲頻、中高頻感應(yīng)加熱成套設(shè)備、鋼爪校直機(jī)、導(dǎo)桿校直機(jī)、真空爐、燒結(jié)爐及各種非標(biāo)電爐和電解鋁行業(yè)配套專(zhuān)用設(shè)備制造、銷(xiāo)售和服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。公司產(chǎn)品現(xiàn)暢銷(xiāo)全國(guó)各地，已為中國(guó)一汽、東風(fēng)汽車(chē)、南京汽車(chē)、重慶重汽集團(tuán)、陜汽集團(tuán)、河南神火集團(tuán)、安陽(yáng)鋼鐵集團(tuán)、武鋼武漢冶金、龍溪股份、曙光股份、常州光洋、蘭州鋁業(yè)、西部礦業(yè)、湖南創(chuàng)元、四川石油、重慶建設(shè)等國(guó)內(nèi)眾多大中型企業(yè)提供了精良的關(guān)鍵性設(shè)備配套、成套設(shè)備還遠(yuǎn)銷(xiāo)至日本、阿根廷、墨西哥、伊朗、哈薩克斯坦等國(guó)家。
我公司在感應(yīng)電熱領(lǐng)域內(nèi)擁有一批優(yōu)秀的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、管理、銷(xiāo)售和服務(wù)的高素質(zhì)人才，公司始終以先進(jìn)的設(shè)計(jì)、精心的制造、優(yōu)質(zhì)的服務(wù)來(lái)贏得客戶(hù)和保證客戶(hù)的滿(mǎn)意，可按照客戶(hù)的要求進(jìn)行各種非標(biāo)設(shè)計(jì)、制造，確保成套設(shè)備穩(wěn)定的質(zhì)量和優(yōu)異的品質(zhì)。目前我公司開(kāi)發(fā)和創(chuàng)新能力穩(wěn)步增強(qiáng)，產(chǎn)值連年遞增，發(fā)展迅猛，加之企業(yè)領(lǐng)先的經(jīng)營(yíng)理念和管理機(jī)制，使我們?cè)陔娂訜嵫b備制造和有色、黑色金屬熱加工領(lǐng)域中得到了快速的發(fā)展，在行業(yè)中享有極高的聲譽(yù)和信譽(yù)。公司一直遵循“為用戶(hù)創(chuàng)造更多價(jià)值，追求用戶(hù)最大滿(mǎn)意”的企業(yè)理念，追求與客戶(hù)雙贏發(fā)展。多年來(lái)連續(xù)被西安市工商行政管理局評(píng)為“重合同，守信用”企業(yè)。感應(yīng)加熱設(shè)備于1999年6月榮獲個(gè)國(guó)科技成果轉(zhuǎn)化展覽會(huì)金箭優(yōu)秀獎(jiǎng)。2000年11月中頻電源獲得國(guó)家重點(diǎn)新產(chǎn)品證書(shū)。2004年2月企業(yè)通過(guò)了ISO9001：2000國(guó)際質(zhì)量管理體系認(rèn)證。
在此我們深切認(rèn)識(shí)到只有優(yōu)越的質(zhì)量和良好的服務(wù)，才是客戶(hù)最大的保障，更是藍(lán)輝機(jī)電在日益激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中永遠(yuǎn)保持快速發(fā)展的根本。藍(lán)輝機(jī)電將以從事多年來(lái)的設(shè)計(jì)制造經(jīng)驗(yàn)，專(zhuān)業(yè)高效的售前、售后確保成套設(shè)備品質(zhì)的優(yōu)異，我們?nèi)w員工始終以飽滿(mǎn)的熱情、高度的責(zé)任心、精湛的技術(shù)，竭誠(chéng)為用戶(hù)服務(wù)，歡迎國(guó)內(nèi)外新老朋友咨詢(xún)、洽談、合作。 中頻爐晶閘管的基本特性
1、晶閘管的靜態(tài)伏安特性
第I象限的是正向特性有阻斷狀態(tài)和導(dǎo)通狀態(tài)之分。 在正向阻斷狀態(tài)時(shí)，晶閘管的伏安特性是一組隨門(mén)極電流的增加而不同的曲線(xiàn)簇。當(dāng)IG足夠大時(shí)，晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓很小，可以看成與一般二極管一樣 第III象限的是反向特性晶閘管的反向特性與一般二極管的反向特性相似。IG=0時(shí)，器件兩端施加正向電壓，為正向阻斷狀態(tài)，只有很 小的正向漏電流流過(guò)，正向電壓超過(guò)臨界極限即正向轉(zhuǎn)折電壓Ubo，則漏電流急劇增大，器件開(kāi)通隨著門(mén)極電流幅值的增大，正向轉(zhuǎn)折電壓降低導(dǎo)通后的晶閘管特性和二極管的正向特性相仿晶閘管本身的壓降很小，在1V左右導(dǎo)通期間，如果門(mén)極電流為零，并且陽(yáng)極電流降至接近于零的某一數(shù)值IH以下，則晶閘管又回到正向阻斷狀態(tài)。IH稱(chēng)為維持電流。晶閘管上施加反向電壓時(shí)，伏安特性類(lèi)似二極管的反向特性晶閘管的門(mén)極觸發(fā)電流從門(mén)極流入晶閘管，從陰極流出陰極是晶閘管主電路與控制電路的公共端門(mén)極觸發(fā)電流也往往是通過(guò)觸發(fā)電路在門(mén)極和陰極之間施加觸 發(fā)電壓而產(chǎn)生的晶閘管的門(mén)極和陰極之間是PN結(jié)J3，其伏安特性稱(chēng)為門(mén)極伏安 特性。為保證可靠、安全的觸發(fā)，觸發(fā)電路所提供的觸發(fā)電壓、電流和功率應(yīng)限制在可靠觸發(fā)區(qū)。
2. 動(dòng)態(tài)特性
與二極管類(lèi)似，開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程產(chǎn)生動(dòng)態(tài)損耗晶閘管的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程波形
1) 開(kāi)通過(guò)程
延遲時(shí)間td：門(mén)極電流階躍時(shí)刻開(kāi)始，到陽(yáng)極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%的時(shí)間上升時(shí)間tr：陽(yáng)極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需的時(shí)間開(kāi)通時(shí)間tgt：以上兩者之和， tgt=td+ tr 普通晶閘管延遲時(shí)間為0.5~1.5?s，上升時(shí)間為0.5~3s
2) 關(guān)斷過(guò)程
反向阻斷恢復(fù)時(shí)間trr：正向電流降為零到反向恢復(fù)電流衰減至近于零的時(shí)間正向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr：晶閘管要恢復(fù)其對(duì)正向電壓的阻斷能力還需要一段時(shí)間在正向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對(duì)晶閘管施加正向電壓，晶閘管會(huì)重新正向?qū)▽?shí)際應(yīng)用中，應(yīng)對(duì)晶閘管施加足夠長(zhǎng)時(shí)間的反向電壓，使晶閘管充分恢復(fù)其對(duì)正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作
中頻爐，中頻感應(yīng)爐的發(fā)展史
感應(yīng)加熱來(lái)源于法拉第發(fā)現(xiàn)的電磁感應(yīng)現(xiàn)象，也就是交變的電流會(huì)在導(dǎo)體中產(chǎn)生感應(yīng)電流，從而導(dǎo)致導(dǎo)體發(fā)熱。1890年瑞典技術(shù)人員發(fā)明了第一臺(tái)感應(yīng)熔煉爐 ——開(kāi)槽式有芯爐， 1916年美國(guó)人發(fā)明了閉槽有芯爐，從此感應(yīng)加熱技術(shù)逐漸進(jìn)入實(shí)用化階段。20世紀(jì)電力電子器件和技術(shù)的飛速發(fā)展，極大地促進(jìn)了感應(yīng)加熱技術(shù)的發(fā)展。1957年，美國(guó)研制出作為電力電子器件里程碑的晶閘管，標(biāo)志著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的開(kāi)始，也引發(fā)了感應(yīng)加熱技術(shù)的革命。1966年，瑞士和西德首先利用晶閘管研制感應(yīng)加熱裝置，從此感應(yīng)加熱技術(shù)開(kāi)始飛速發(fā)展。
20世紀(jì)80年代后，電力電子器件再次快速發(fā)展，GTO、MOSFET、IGBT、M CT及 SIT等器件相繼出現(xiàn)。感應(yīng)加熱裝置也逐漸摒棄晶閘管，開(kāi)始采用這些新器件?，F(xiàn)在比較常用的是IGBT和MOSFET， IGBT用于較大功率場(chǎng)合，而MOSFET用于較高頻率場(chǎng)合。據(jù)報(bào)道，國(guó)外可以采用IGBT將感應(yīng)加熱裝置做到功率超過(guò)1000kW ，頻率超過(guò)50kHz。而MOSFET較適用高頻場(chǎng)合，通常應(yīng)用在幾千瓦的中小功率場(chǎng)合，頻率可達(dá)到500kHz以上，甚至幾兆赫茲。然而國(guó)外也有推出采用 MOSFET的大功率的感應(yīng)加熱裝置，比如美國(guó)研制的2000kW /400kHz的裝置。
我國(guó)感應(yīng)熱處理技術(shù)的真正應(yīng)用始于1956年，從前蘇聯(lián)引入，主要應(yīng)用在汽車(chē)工業(yè)。隨著 20世紀(jì)電源設(shè)備的制造，感應(yīng)淬火工藝裝備也緊隨其后得到發(fā)展。現(xiàn)在國(guó)內(nèi)感應(yīng)淬火工藝裝備制造業(yè)也日益擴(kuò)大，產(chǎn)品品種多，原來(lái)需要進(jìn)口的裝備，逐步被國(guó)產(chǎn)品所取代，在為國(guó)家節(jié)省外匯的同時(shí)，發(fā)展了國(guó)內(nèi)的相關(guān)企業(yè)。目前感應(yīng)加熱制造業(yè)的服務(wù)對(duì)象主要是汽車(chē)制造業(yè)，今后現(xiàn)代冶金工業(yè)將對(duì)感應(yīng)加熱有較大需求。
一、感應(yīng)加熱特點(diǎn)
感應(yīng)加熱技術(shù)具有快速、清潔、節(jié)能、易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化和在線(xiàn)生產(chǎn)、生產(chǎn)效率高等特點(diǎn)，是內(nèi)部熱源，屬非接觸加熱方式，能提供高的功率密度，在加熱表面及深度上有高度靈活的選擇性，能在各種載氣中工作 （空氣、保護(hù)氣、真空），損耗極低，不產(chǎn)生任何物理污染，符合環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展方針，是綠色環(huán)保型加熱工藝之一。它與可控氣氛熱處理、真空熱處理少無(wú)氧化技術(shù)已成為熱處理技術(shù)的發(fā)展主流。
其主要應(yīng)用有：
（1）冶金 有色金屬的冶煉，金屬材料的熱處理，鍛造、擠壓、軋制等型材生產(chǎn)的透熱，焊管生產(chǎn)的焊縫。
（2）機(jī)械制造 各種機(jī)械零件的淬火，以及淬火后的回火、退火和正火等熱處理的加熱;壓力加工前的透熱。
（3）輕工 罐頭以及其他包裝的封口，比如著名的利樂(lè)磚的封口包裝。
（4）電子 電子管真空除氣的加熱。
（5）特殊應(yīng)用 如等離子、堆焊等。
以一汽為例，在生產(chǎn)的中型車(chē)、輕型車(chē)和轎車(chē)上，就有近200種零件需要感應(yīng)加熱淬火處理，從感應(yīng)加熱淬火零件的形狀和尺寸來(lái)看，可稱(chēng)得上花樣繁多且大小均有。隨著感應(yīng)淬火技術(shù)的不斷發(fā)展，感應(yīng)淬火的零件已上升到占全部熱處理零件的50%左右。據(jù)有關(guān)數(shù)據(jù)表明，在我國(guó)的汽車(chē)工業(yè)中，感應(yīng)熱處理的應(yīng)用正進(jìn)入世界先進(jìn)水平的行列。
二、感應(yīng)加熱新工藝
感應(yīng)加熱工藝是感應(yīng)加熱技術(shù)水平的主要體現(xiàn)，是技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，先進(jìn)的感應(yīng)加熱工藝技術(shù)可以有效地發(fā)揮感應(yīng)加熱的特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能的局部熱處理。
（1）縱向感應(yīng)加熱淬火 半軸縱向感應(yīng)加熱淬火已用于汽車(chē)、拖拉機(jī)工業(yè)。半軸縱向加熱是一次淬火。在德國(guó)、美國(guó)有半軸一次淬火專(zhuān)用機(jī)床，將加熱、校正和淬火在一臺(tái)機(jī)床上完成，提高了生產(chǎn)率，一次淬火與連續(xù)淬火相同產(chǎn)量的設(shè)備占地面積各為40m2與115m2。
（2）曲軸頸圓角淬火 曲軸頸圓角淬火后，疲勞強(qiáng)度比正火的提高一倍，我國(guó)生產(chǎn)的康明斯與 NH發(fā)動(dòng)機(jī)曲軸均已采用此種工藝。
（3）低淬透性鋼齒輪淬火 早在20世紀(jì)70年代我國(guó)曾進(jìn)行55DT、60DT、70DT鋼研究并取得初步成果，以后因鋼的淬透性不穩(wěn)定等原因，低淬鋼未繼續(xù)用于生產(chǎn)。1992年俄羅斯低淬鋼創(chuàng)始人，K.3ЩЕПЕ ЛЯКОВСКЦЦ博士來(lái)中國(guó)講學(xué)，并到某一鋼廠調(diào)查冶煉低淬鋼的條件，認(rèn)為該廠完全具備生產(chǎn)低淬鋼條件。YB 2009—1981《低淬透性含鈦優(yōu)質(zhì)碳素結(jié)構(gòu)鋼》中對(duì)合金元素的控制與俄羅斯不同，（俄）1054—74、58（55П П）鋼的元素含量對(duì) Mn、Cr、Ni、Cu四元素之和規(guī)定要求<0.5%（質(zhì)量分?jǐn)?shù)），而YB2009—8155Ti鋼對(duì)Cr、Ni、Cu三元素之和規(guī)定<0.5%（質(zhì)量分?jǐn)?shù)），這可能是關(guān)鍵所在。
俄羅斯低淬鋼及控制淬透性鋼已大量應(yīng)用于汽車(chē)、拖拉機(jī)后橋齒輪、挖掘機(jī)齒輪、傳動(dòng)十字軸、火車(chē)車(chē)廂用滾動(dòng)軸承、汽車(chē)板簧和鐵路螺旋彈簧等，取得了極大的經(jīng)濟(jì)效益。
（4）感應(yīng)電阻淬火 眾所周知，轉(zhuǎn)向齒條的齒部采用感應(yīng)電阻法淬火，國(guó)內(nèi)已有三臺(tái)以上的進(jìn)口機(jī)床在生產(chǎn)。英國(guó)一臺(tái)機(jī)床將此工藝用于齒輪生產(chǎn)，發(fā)現(xiàn)淬火后齒輪基本不變形并可隨后進(jìn)入裝配工序。
（5）曲軸軸頸固定加熱淬火 新設(shè)備稱(chēng)為 Gr ankproTM，用二個(gè)半環(huán)形固定加熱感應(yīng)器取代8字半環(huán)形旋轉(zhuǎn)加熱感應(yīng)帶。此套設(shè)備能對(duì)曲頸進(jìn)行淬火與回火，與老工藝相比，具有節(jié)能、占地面積小、工件變形小和感應(yīng)器壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。
三、感應(yīng)加熱電源及技術(shù)
在電源方面晶閘管中頻取代機(jī)式發(fā)電機(jī)。20世紀(jì) 90年代初，國(guó)內(nèi)晶閘管電源廠曾如雨后春筍，遍地開(kāi)花，經(jīng)過(guò)優(yōu)勝劣汰的競(jìng)爭(zhēng)，現(xiàn)在生產(chǎn)廠已趨向穩(wěn)定。目前晶閘管電源又在向 IGBT晶體管電源發(fā)展，而電子管高頻則將發(fā)展為MOSFET晶體管電源，手提晶體管超音頻、高頻電源市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)十分激烈，其未來(lái)也將是誰(shuí)的質(zhì)量高、技術(shù)水平高，誰(shuí)就能站穩(wěn)腳跟。
國(guó)產(chǎn)中頻電源目前都采用并聯(lián)諧振型逆變器結(jié)構(gòu)。因此，在研究和開(kāi)發(fā)更大容量的并聯(lián)逆變中頻電源的同時(shí)，研制結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于頻繁起動(dòng)的串聯(lián)逆變中頻電源是國(guó)內(nèi)中頻感應(yīng)加熱裝置領(lǐng)域有待解決的問(wèn)題，尤其是在熔煉、鑄造應(yīng)用中，串聯(lián)逆變電源易實(shí)現(xiàn)全工況下恒功率輸出 （有利于降低電能?chē)嵑模┘耙粰C(jī)多負(fù)載功率分配控制，更值得推廣應(yīng)用。
在超音頻 （10～100kHz）范圍內(nèi)，由于晶閘管本身開(kāi)關(guān)特性等參數(shù)的限制，給研制該頻段的電源帶來(lái)了很大的技術(shù)難度。雖然在 80年代浙江大學(xué)采用晶閘管倍頻電路研制了50kW /50kHz超音頻電源，采用時(shí)間分割電路研制了30kHz的晶閘管超音頻電源，但由于倍頻電路的雙諧振回路耦合使負(fù)載呈非線(xiàn)性，時(shí)變加熱負(fù)載參數(shù)與諧振回路參數(shù)匹配調(diào)試相當(dāng)復(fù)雜，而時(shí)間分割電路控制和主回路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，逆變管利用率低，因此沒(méi)有得到很好的推廣應(yīng)用。
70至80年代初，人們將現(xiàn)代半導(dǎo)體微集成加工技術(shù)與功率半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)行結(jié)合，相繼開(kāi)發(fā)出一大批全控電力電子半導(dǎo)體器件 （GTR、MOSFET、SIT、SITH及MCT等），為全固態(tài)超音頻、高頻電源的研制打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
在高頻 （100kHz以上）頻段，目前國(guó)外正處在從傳統(tǒng)的電子管電源向晶體管化全固態(tài)電源的過(guò)渡階段。日本某些公司采用SIT，電源水平在80年代末達(dá)到了1000kW、200kHz， 400kW、400kHz。
而在歐美，由于SIT存在高通態(tài)損耗 （SIT工作于非飽和區(qū)）等缺陷，其高頻功率器件以MOSFET為主。隨著MOSFET功率器件的模塊化、大容量化， MOSFET高頻感應(yīng)加熱電源的容量得到了飛速發(fā)展。西班牙采用MOSFET的電流型感應(yīng)加熱電源制造水平達(dá)600kW、400kHz，德國(guó)在1989年研制的電流型MOSFET感應(yīng)加熱電源水平達(dá)480kW、50～200kHz，比利時(shí)I nductoEiphiac公司生產(chǎn)的電流型MOSFET感應(yīng)加熱電源水平可達(dá)1000kW、15～600kHz。浙江大學(xué)在 90年代研制出 20kW、300kHz MOSFET高頻電源，已被成功應(yīng)用于小型刀具的表面熱處理和飛機(jī)渦輪葉片的熱應(yīng)力考核。
目前，感應(yīng)加熱電源在中頻頻段主要采用晶閘管，超音頻頻段主要采用IGBT，而在高頻頻段，由于SIT存在高導(dǎo)通損耗等缺陷，國(guó)際上主要發(fā)展MOSFET電源。感應(yīng)加熱電源雖采用諧振逆變器，有利于功率器件實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)，但是感應(yīng)加熱電源通常功率較大，對(duì)功率器件、無(wú)源器件、電纜、布線(xiàn)、接地和屏蔽等均有許多特殊要求。因此，實(shí)現(xiàn)感應(yīng)加熱電源高頻化仍有許多應(yīng)用基礎(chǔ)技術(shù)需要進(jìn)一步探討，特別是新型高頻大功率器件 （如MCT、IGBT及SIT功率器件等）的問(wèn)世，將進(jìn)一步促進(jìn)高頻感應(yīng)加熱電源的發(fā)展。
從電路的角度來(lái)考慮感應(yīng)加熱電源的大容量化，可將大容量化技術(shù)分為兩大類(lèi):一類(lèi)是器件的串、并聯(lián);另一類(lèi)是多橋或多臺(tái)電源的串、并聯(lián)。在器件的串、并聯(lián)方式中，必須認(rèn)真處理串聯(lián)器件的均壓?jiǎn)栴}和并聯(lián)器件的均流問(wèn)題，由于器件制造工藝和參數(shù)的離散性，限制了器件的串、并聯(lián)數(shù)目，且串、并聯(lián)數(shù)越多，裝置的可靠性越差。多臺(tái)電源的串、并聯(lián)技術(shù)是在器件串、并聯(lián)技術(shù)基礎(chǔ)上進(jìn)一步再容量化的有效手段，借助于可靠的電源串、并聯(lián)技術(shù)，在單機(jī)容量適當(dāng)?shù)那闆r下，可簡(jiǎn)單地通過(guò)串、并聯(lián)運(yùn)行方式得到大容量裝置，每臺(tái)單機(jī)只是裝置的一個(gè)單元 （或一個(gè)模塊）。
感應(yīng)加熱電源逆變器主要有并聯(lián)逆變器和串聯(lián)逆變器，串聯(lián)逆變器輸出可等效為一低阻抗的電壓源，當(dāng)兩電壓源并聯(lián)時(shí)，相互間的幅值、相位和頻率不同或波動(dòng)時(shí)將導(dǎo)致很大的環(huán)流，以至逆變器件的電流產(chǎn)生嚴(yán)重不均，因此，串聯(lián)逆變器存在并機(jī)擴(kuò)容困難;而對(duì)并聯(lián)逆變器，逆變器輸入端的直流大電抗器可充當(dāng)各并聯(lián)逆變器之間的電流緩沖環(huán)節(jié)，使得輸入端的AG/DG或DG/DG環(huán)節(jié)有足夠的時(shí)間來(lái)糾正直流電流的偏差，達(dá)到多機(jī)并聯(lián)擴(kuò)容，晶體管化超音頻、高頻電流多采用并聯(lián)逆變器結(jié)構(gòu)，并聯(lián)逆變器易于模塊化、大容量化是其中的一個(gè)主要原因。
感應(yīng)加熱電源的負(fù)載對(duì)象各式各樣，而電源逆變器與負(fù)載是一有機(jī)的整體，一般采用匹配變壓器連接電源和負(fù)載感應(yīng)器，高頻、超音頻電源用的匹配變壓器從磁性材料到繞組結(jié)構(gòu)正在得到進(jìn)一步的優(yōu)化改進(jìn)，同時(shí)，從電路拓?fù)渖峡梢杂萌裏o(wú)源元件代替二無(wú)源元件，以取消變壓器，實(shí)現(xiàn)高效、低成本匹配。
感應(yīng)加熱電源，晶閘管、晶體管與電子管式在國(guó)內(nèi)均能生產(chǎn)。晶閘管電源已生產(chǎn)應(yīng)用多年。目前 IGBT電源因其優(yōu)點(diǎn)更多而更為用戶(hù)所采用。MOSFET電源電效率高、低壓，但價(jià)格較高，正在逐步取代電子管高頻電源。手提式小型高頻電源因價(jià)廉、方便，在國(guó)內(nèi)應(yīng)用廣泛，甚至進(jìn)入國(guó)外市場(chǎng)。
超高頻電源 （27.12MHz），過(guò)去依賴(lài)進(jìn)口，現(xiàn)在國(guó)內(nèi)至少有兩個(gè)企業(yè)已進(jìn)行生產(chǎn)，解決了刀片、鋸條等特殊工藝的需要。
