硫化鈷(IV)—二硫化鈷（CoS2）

　　1，物理性質：

　　CAS號：12013-10-4

　　分子量:123.06

　　性狀：立方晶系黑色結晶

　　密度（g/mL,25℃）：4.3

　　2，規格：

　　含量3N5（99.95）以上

　　3，包裝：瓶裝：1公斤/瓶，瓶外加鋁復合薄膜真空包裝；

　　4，貯存方法

　　常溫密閉避光，通風干燥處

　　5，提供MSDS及使用的防護措施

　　公司主要生產，研發，銷售各種高純金屬材料，半導體化合物，真空鍍膜材料，高純高致密磁控濺射靶材，各種合金產品。公司以誠信為本，質量為經營理念。以市場為先導，不斷，研發各種材料，滿足客戶需求。公司位于成都市錦江工業園區，距雙流國際機場25公里。

　　公司現有靶材熱壓爐；真空蒸餾裝置，電解槽，單晶爐，區熔裝置，CVD（化學氣象沉積）裝置，PVD（物象沉積）裝置，移動式加熱裝置等多種高純金屬和化合物生產研發設備；提純工藝包括：真空蒸餾；精餾；區域熔煉；電解；化學氣象沉積；物象沉積；熱擴散；單晶提拉法等。材料種類包括：光電材料，熱電材料，相變材料，鍍膜材料等。純度從99.99-99.99999,材料應用于光伏，光電，電子行業，鍍膜，醫藥行業，，科研等領域。

　　產品范圍包括特種陶瓷，單質金屬，合金，半導體化合物及各種復雜合成的新材料 及制品（純度從低至高，高至99.99999）。 尤其在磁控濺射靶材,真空鍍膜材料,高純化合物半導體材料，蒸餾稀土金屬,稀土合金，稀土氟化物，特種合金具有極大的優勢。

　　自有設備：真空熱壓爐，真空中頻感應熔煉爐，冷坩堝懸浮熔煉爐，非自耗真空電弧爐，真空高溫加熱爐，真空燒結爐，真空蒸餾爐，定向凝固，區域熔煉爐，多溫區加熱爐，單晶爐，高溫燒結爐，單溫區，雙溫區、多溫區液相、氣相合成爐、氧化爐、加工設備。