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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
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| 封裝 | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 | ||
| 批號(hào) | 21 | ||
| 數(shù)量 | 300 | ||
| 制造商 | IXYS | ||
| 產(chǎn)品種類 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 安裝風(fēng)格 | ChassisMount | ||
| 封裝/箱體 | SOT-227-4 | ||
| 通道數(shù)量 | 1Channel | ||
| 晶體管極性 | N-Channel | ||
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 100V | ||
| Id-連續(xù)漏極電流 | 180A | ||
| RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻 | 8mOhms | ||
| Vgs-柵極-源極電壓 | 20V | ||
| 最小工作溫度 | -55C | ||
| 最大工作溫度 | 150C | ||
| 配置 | Single | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 高度 | 9.6mm | ||
| 長度 | 38.23mm | ||
| 晶體管類型 | 1N-Channel | ||
| 寬度 | 25.42mm | ||
| 上升時(shí)間 | 90ns | ||
| 單位重量 | 30g | ||
| 品牌 | IXYS | ||
| 型號(hào) | IXFN180N10 | ||
| Pd-功率耗散 | 600W | ||
| 系列 | IXFN180N10 | ||
| 下降時(shí)間 | 65ns | ||
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間 | 140ns | ||
| 典型接通延遲時(shí)間 | 50ns | ||
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