續(xù)航時(shí)間達(dá) 18小時(shí)

數(shù)字化產(chǎn)品

?主體材質(zhì)可選鋁，更的導(dǎo)熱性能和便攜性多參數(shù)顯示和輸出：溫度、壓力、流量等?可選 可優(yōu)于0.5

可測(cè) ，0.01~?響應(yīng)時(shí)間快，優(yōu)于10ms

內(nèi)置98種氣體

可現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)定混合氣體（多5種成分），并存儲(chǔ)20種混合氣



ENOB=（SINAD-1.76dB）/6.2，其中1.76為理想ADC的量化噪聲，6.2為將log2轉(zhuǎn)化為log1的系數(shù)比。很明顯，SINAD越大，ENOB越大，而提升SINAD的方法就是 關(guān)注與測(cè)試精度有關(guān)的電路。在數(shù)字示波器的架構(gòu)中，與測(cè)試精度有關(guān)的電路有：前端采集電路、ADC采樣電路。被測(cè)信號(hào)經(jīng)前端采集電路進(jìn)行調(diào)理后傳輸給ADC進(jìn)行采樣。其中前端采集電路及ADC采樣電路對(duì)ENOB有較大影響，實(shí)際工作時(shí)，偏置誤差，非線性誤差，增益誤差，隨機(jī)噪聲，甚至還有ADC交織引起的噪聲都會(huì)增大ENOB。ENOB說(shuō)明了什么ENOB是衡量ADC性能的標(biāo)尺，若示波器ENOB指標(biāo)好，那么偏置誤差、增益誤差、非線性度等都較小，同時(shí)帶寬噪聲也較低。如果主要被測(cè)信號(hào)是正弦波信號(hào)，那么ENOB就需要 關(guān)注。通常示波器都由前端電路衰減器、放大器等信號(hào)調(diào)理電路、ADC采樣電路組成，在設(shè)計(jì)的時(shí)候，會(huì)在前端采用各種射頻技術(shù)，各種頻率響應(yīng)方式，實(shí)現(xiàn)的頻響平坦度，以便ADC采樣時(shí)失真，增大ENOB指標(biāo)。判斷ENOB的大小3.11.底噪示波器在不同垂直檔位及偏置下的底噪大小是評(píng)估示波器測(cè)量質(zhì)量的一個(gè)重要依據(jù)，通過(guò)觀測(cè)底噪大小，可以判斷前端采集電路和ADC采樣電路設(shè)計(jì)的優(yōu)劣，因?yàn)槭静ㄆ鞯牡自霑?huì)增加額外的抖動(dòng)并較小設(shè)計(jì)裕量，對(duì)測(cè)試結(jié)果造成較大的影響。


CSP(ChipScalePACkage)：芯片級(jí)封裝，該方式相比BGA同等空間下可以將存儲(chǔ)容量提升三倍，是由日本三菱公司提出來(lái)的。DIP(DualIn-linePACkage)：雙列直插式封裝，插裝型封裝之一，指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，體積比較大。MCM(MultiChipModel)：多芯片模塊封裝，可根據(jù)基板材料分為MCM-L，MCM-C和MCM-D三大類。QFP(QuadFlatPackage)：四側(cè)引腳扁平封裝，表面貼裝型封裝之一，引腳通常在100以上，適合高頻應(yīng)用，基材方面有陶瓷、金屬和塑料三種。

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