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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
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| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號(hào) | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 數(shù)量 | 10 | ||
| 晶向 | （100）、（111） | ||
| 晶格常數(shù) | 5.6419A | ||
| 帶隙 | 1.4eV | ||
| 可售賣地區(qū) | 全國(guó) | ||
| 可售賣地 | 全國(guó) | ||
| 用途 | 半導(dǎo)體器件應(yīng)用 | ||
| 型號(hào) | N、P、半絕緣型 | ||
砷化鎵（GaAs）是一種由鎵和砷元素構(gòu)成的重要的直接帶隙半導(dǎo)體材料，屬于III-V族化合物半導(dǎo)體，閃鋅礦晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為5.6419A，熔點(diǎn)為1237°C，帶隙為1.4eV。砷化鎵半導(dǎo)體材料通常用于外延生長(zhǎng)其他III-V半導(dǎo)體材料，包括砷化銦鎵（InGaAs），砷化鋁鎵（AlGaAs）等。可提供砷化鎵單晶及襯底片，砷化鎵襯底晶片參數(shù)如下：
1. 砷化鎵襯底規(guī)格參數(shù)
2. 砷化鎵晶片用途
砷化鎵襯底可用于制造微波頻率集成電路，單片微波集成電路，紅外發(fā)光二極管（LED），激光二極管（LD），太陽能電池和光學(xué)窗口等設(shè)備。
此外，砷化鎵可以制成半絕緣高電阻材料，可用于制造紅外探測(cè)器、伽馬光子探測(cè)器等。由于其電子遷移率是硅的5到6倍，因此半絕緣砷化鎵晶圓在微波器件和高速數(shù)字電路的制造中得到了重要應(yīng)用。砷化鎵半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能、低噪聲、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，使砷化鎵襯底晶片市場(chǎng)需求不斷擴(kuò)大。
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