一、濕法腐蝕機用途和特點：

1、 用途：主要用微細加工、半導體、微電子、光電子和納米技術工藝中在硅片、陶瓷片上顯影，濕法腐蝕，清洗，沖洗，甩干與光刻、烘烤等設備配合使用。設備能滿足各類以下尺寸的基片處理要求，并配制相應的托盤夾具。

2、濕法腐蝕機特點：

（1）外觀整潔、美觀，占地面積小，節省超凈間的使用面積；

（2）VoD頂蓋閥門控制技術 避免二次污染；

（3）顯影腐蝕液獨立的試劑供給管路；

（4）處理腔內差壓精準控制；

（5）滿足2英寸~12英寸的防腐托盤；

（6）試劑注射角度可調節；

（7）獨特設計的“腔洗”構造，保證“干進干出”；

（8） 濕法腐蝕機具備高性能、低故障率、長使用壽命、易操作維修、造型美觀、售后服務完備。

二、濕法腐蝕機主要性能指標：
1. 系統概述

1.1智能嵌鎖，系統蓋板具有智能嵌鎖裝置，確保操作安全；

1.2保護氣體，CDA（清潔干燥氣體）/氮氣（N2）,氣壓60~70PSI；

1.3通信接口，藍牙連接；

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2. ?基片及處理方式

2.1 基片尺寸滿足直徑300mm以內基底材料；

2.2 基片處理方式，手動上下載；

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3. 控制系統

3.1 用戶界面，650高精度數顯屏/基于Windows的SPIN3000操作軟件；

3.2 最大可存儲20個程序段；

3.3 最大51 驟工藝步驟；

3.4時間設定范圍，0.1S~99Min59.9S（最小增量0.1 S）；

3.5最大旋轉速度，3,000 rpm，±0.5 rpm (帶安全罩)；

3.6馬達加速度，1–12,000 rpm/s；

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4. 試劑分配系統

4.1 化學試劑分配

4.1.1 ?A標準腔洗 Bowl Wash ?1路純水和1路氮氣；

4.1.2 ?B 背部清洗 Back Riser 1路純水；

4.1.3 ?C 樣片沖洗甩干 1路純水和1路氮氣；

4.1.4 ?D 自定義化學試劑可同時接入（根據用戶應用選擇幾路液體）自定義的化學試劑（顯影液/腐蝕液/其他清洗液）；

4.2試劑供給方式

*4.2.1 ?A 系統所需純水和氮氣以及壓縮氣體（可用氮氣替代）由實驗室自行供應；

4.2.2 ?B 自定義化學試劑由氣動泵浦BP和壓力容器供給；

4.3 注射裝置采用日本原裝進口霧的池內專用噴嘴；

?三、適用工藝（包括但不限于下述濕法制程）

光刻膠顯影（KrF/ArF）

SU8厚膠顯影

顯影后清洗

PostCMP清洗

光罩去膠清洗

光刻膠去除

金屬Lift-off處理

刻蝕微刻蝕處理

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