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| 產品參數 | |||
|---|---|---|---|
| IMW120R220M1HXKSA1 電子元器件 INFINEON 封裝N/A 品牌 | INFINEON | ||
| 封裝 | N/A | ||
| 數量 | 238271 | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 產品種類 | MOSFET | ||
| RoHS | 是 | ||
| 技術 | SiC | ||
| 安裝風格 | Through Hole | ||
| 封裝 / 箱體 | TO-247-3 | ||
| 晶體管極性 | N-Channel | ||
| 通道數量 | 1 Channel | ||
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 1200 V | ||
| Id-連續漏極電流 | 13 A | ||
| Rds On-漏源導通電阻 | 289 mOhms | ||
| Vgs - 柵極-源極電壓 | - 7 V | ||
| 23 V | |||
| Vgs th-柵源極閾值電壓 | 5.7 V | ||
| Qg-柵極電荷 | 8.5 nC | ||
| 最小工作溫度 | - 55 C | ||
| 最大工作溫度 | 150 C | ||
| Pd-功率耗散 | 75 W | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 商標名 | CoolSiC | ||
| 配置 | Single | ||
| 系列 | IMW120RXM1H | ||
| 晶體管類型 | 1 N-Channel | ||
| 商標 | Infineon Technologies | ||
| 正向跨導 - 最小值 | 2 S | ||
| 下降時間 | 14 ns | ||
| 產品類型 | MOSFET | ||
| 上升時間 | 1.4 ns | ||
| 工廠包裝數量 | 240 | ||
| 子類別 | MOSFETs | ||
| 典型關閉延遲時間 | 10 ns | ||
| 典型接通延遲時間 | 5 ns | ||
| 零件號別名 | IMW120R220M1H SP001946188 | ||
| 單位重量 | 6.044 g | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 型號 | IMW120R220M1HXKSA1 | ||
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| 品牌： | INFINEON |
| 型號： | IMW120R220M1HXKSA1 |
| 封裝： | N/A |
| 數量： | 238271 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | SiC |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-247-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 1200 V |
| Id-連續漏極電流： | 13 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 289 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 7 V, 23 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 5.7 V |
| Qg-柵極電荷： | 8.5 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 最大工作溫度： | 150 C |
| Pd-功率耗散： | 75 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標名： | CoolSiC |
| 配置： | Single |
| 系列： | IMW120RXM1H |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 商標： | Infineon Technologies |
| 正向跨導 - 最小值： | 2 S |
| 下降時間： | 14 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 1.4 ns |
| 工廠包裝數量： | 240 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 10 ns |
| 典型接通延遲時間： | 5 ns |
| 零件號別名： | IMW120R220M1H SP001946188 |
| 單位重量： | 6.044 g |
