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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
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| 封裝 | 標準封裝 | ||
| 批號 | 19 | ||
| 數(shù)量 | 3665 | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 產(chǎn)品種類 | IGBT 模塊 | ||
| RoHS | 是 | ||
| 配置 | Dual | ||
| 集電極—射極飽和電壓 | 2.45 V | ||
| 在25 C的連續(xù)集電極電流 | 310 A | ||
| 柵極—射極漏泄電流 | 100 nA | ||
| Pd-功率耗散 | 1250 W | ||
| 封裝 / 箱體 | 62 mm | ||
| 最小工作溫度 | - 40 C | ||
| 最大工作溫度 | 150 C | ||
| 安裝風格 | Chassis Mount | ||
| 柵極/發(fā)射極最大電壓 | 20 V | ||
| 零件號別名 | FF200R17KE4HOSA1 SP000713374 FF200R17KE4HOSA1 | ||
| 單位重量 | 340 g | ||
| 可售賣地 | 北京;天津;河北;山西;內(nèi)蒙古;遼寧;吉林;黑龍江;上海;江蘇;浙江;安徽;福建;江西;山東;河南;湖北;湖南;廣東;廣西;海南;重慶;四川;貴州;云南;西藏;陜西;甘肅;青海;寧夏;新疆 | ||
| 型號 | FF200R17KE4 | ||
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