砷化銦（InAs）是一種由銦和砷組成的直接躍遷半導體，類似于砷化鎵，其禁帶寬度為0.45eV（300K）。其外觀為灰色立方晶體，熔點為942°C，晶格常數(shù)為0.6058nm，砷化銦晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦結(jié)構(gòu)。砷化銦以其高電子遷移率和窄能帶隙而眾所周知，被廣泛用作太赫茲輻射源。
可供N型和P型半導體砷化銦晶片，規(guī)格參數(shù)如下：

1. 砷化銦單晶片規(guī)格

2. InAs晶片應(yīng)用
InAs單晶具有高電子遷移率，是制造霍爾器件的理想材料。此外，InAs晶片的發(fā)射波長為3.34μm，在InAs襯底上可以生長晶格匹配的InGaAsSb、InAsPSb和InAsSb多外延材料，以制造2～4μm波段的光纖通信激光器和探測器。

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