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寬禁帶半導體:氮化鎵(GaN)單晶自支撐襯底片

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產品價格: \u9762\u8bae/人民幣 
最后更新: 2024-01-13 05:51:26
產品產地: 福建廈門
發貨地: 福建廈門 (發貨期:當天內發貨)
供應數量: 不限
有效期: 長期有效
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    產品詳細說明
    產品參數
    品牌中芯晶研
    批號最新
    封裝單片包裝
    包裝盒裝
    晶體結構纖鋅礦晶體結構
    帶隙3.4eV
    有效面積>90
    總厚度變化≤15um
    彎曲度≤20um
    拋光正面:外延級拋光;背面:精磨
    數量10
    可售賣地區全國
    可售賣地全國
    型號N型,半絕緣型

    氮化鎵(GaN)是二十世紀九十年代以來常用于發光二極管的二元III / V族直接帶隙半導體。該化合物是一種非常堅硬的材料,具有纖鋅礦晶體結構。其3.4 eV的寬帶隙為光電,高功率和高頻器件的應用提供了特殊的性能。可供氫化物氣相外延(HVPE)技術生長導電型與半絕緣型氮化鎵單晶襯底晶片,晶片參數大致如下:
    1. 氮化鎵晶片規格參數



    2. 氮化鎵襯底的應用場景
    1)GaN襯底可制備發光二極管(LED)與紫外激光二極管(LD);
    2)它對電離輻射的敏感性很低(與其他III族氮化物一樣),使其成為衛星太陽能電池陣列的合適材料。
    3)由于設備在輻射環境中表現出穩定性,因此太空應用也可能受益。
    4)由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作,并且工作電壓比砷化鎵(GaAs)晶體管高得多,因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。

    更多GaN單晶襯底產品信息或疑問請郵件咨詢:vp@honestgroup.cn







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