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三五族半導體N型、P型銻化鎵(GaSb)晶片,單面、雙面拋光

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產(chǎn)品價格: \u9762\u8bae/人民幣 
最后更新: 2024-01-13 05:51:39
產(chǎn)品產(chǎn)地: 福建廈門
發(fā)貨地: 福建廈門 (發(fā)貨期:當天內(nèi)發(fā)貨)
供應數(shù)量: 不限
有效期: 長期有效
最少起訂: 1
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    產(chǎn)品詳細說明
    產(chǎn)品參數(shù)
    品牌中芯晶研
    批號最新
    封裝單片包裝
    包裝盒裝
    數(shù)量10
    直徑2、3、4英寸
    晶向(100)
    拋光單面、雙面
    使用開盒即用
    可售賣地全國
    型號N型、P型

    銻化鎵(GaSb)半導體在 III-V族化合物材料中具有較小的帶隙,在室溫下其能帶隙為 0.70 eV (1.77 μm),在 4K 下為 0.81 eV (1.53 μm),適用于工作在紅外區(qū)域的光電器件和波長范圍為 1-5 μm 的電子器件。可提供銻化鎵晶片如下:

    1. 銻化鎵單晶片



    2.?銻化鎵材料特性
    2.1 GaSb 化學性質(zhì)



    2.2 GaSb 電氣性能




    2.3 GaSb 熱學、機械和光學性能




    3. 銻化鎵晶片應用
    GaSb晶片可用于紅外探測器、紅外LED、激光器和晶體管以及熱光電系統(tǒng)。

    更多產(chǎn)品信息或疑問請郵件咨詢:vp@honestgroup.cn







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