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N型、P型、半絕緣型砷化鎵(GaAs)半導體襯底晶片

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產品價格: \u9762\u8bae/人民幣 
最后更新: 2024-03-02 15:30:11
產品產地: 福建廈門
發貨地: 福建廈門 (發貨期:當天內發貨)
供應數量: 不限
有效期: 長期有效
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    產品詳細說明
    產品參數
    品牌中芯晶研
    批號最新
    封裝單片包裝
    包裝盒裝
    數量10
    晶向(100)、(111)
    晶格常數5.6419A
    帶隙1.4eV
    可售賣地區全國
    可售賣地全國
    用途半導體器件應用
    型號N、P、半絕緣型

    砷化鎵(GaAs)是一種由鎵和砷元素構成的重要的直接帶隙半導體材料,屬于III-V族化合物半導體,閃鋅礦晶格結構,晶格常數為5.6419A,熔點為1237°C,帶隙為1.4eV。砷化鎵半導體材料通常用于外延生長其他III-V半導體材料,包括砷化銦鎵(InGaAs),砷化鋁鎵(AlGaAs)等。可提供砷化鎵單晶及襯底片,砷化鎵襯底晶片參數如下:

    1. 砷化鎵襯底規格參數




    2. 砷化鎵晶片用途

    砷化鎵襯底可用于制造微波頻率集成電路,單片微波集成電路,紅外發光二極管(LED),激光二極管(LD),太陽能電池和光學窗口等設備。
    此外,砷化鎵可以制成半絕緣高電阻材料,可用于制造紅外探測器、伽馬光子探測器等。由于其電子遷移率是硅的5到6倍,因此半絕緣砷化鎵晶圓在微波器件和高速數字電路的制造中得到了重要應用。砷化鎵半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能、低噪聲、抗輻射能力強等優點,使砷化鎵襯底晶片市場需求不斷擴大。

    更多砷化鎵襯底材料產品信息或疑問請郵件咨詢:vp@honestgroup.cn







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