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III-V化合物半導體銻化銦(InSb)襯底晶片,N、P型

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產品價格: \u9762\u8bae/人民幣 
最后更新: 2024-03-02 15:30:14
產品產地: 福建廈門
發貨地: 福建廈門 (發貨期:當天內發貨)
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    產品詳細說明
    產品參數
    品牌中芯晶研
    批號最新
    封裝單片包裝
    包裝盒裝
    數量10
    直徑2、3、4英寸
    晶格常數0.648 nm
    拋光單面、雙面
    可售賣地區全國
    可售賣地全國
    型號N型、P型

    銻化銦(InSb)是由元素銦(In)和銻(Sb)制成的結晶化合物,具有穩定的物理化學性能和優良的工藝相容性。它是III-V族的窄間隙半導體材料,可提供2”, 3”, 4” 銻化銦單晶片,參數如下:

    1. 銻化銦單晶片規格參數




    2. 銻化銦單晶片特性
    2.1 物理性質
    InSb 外觀為深灰色銀色金屬顆粒或具有玻璃光澤的粉末。當加熱超過 500°C 時,它會熔化并分解,釋放出銻和氧化銻煙霧。晶體結構為閃鋅礦,晶格常數為 0.648 nm。
    分子量:236.58
    外觀:深灰色金屬晶體
    熔點:527°C
    密度:5.78 g/cm3
    水中溶解度:不溶
    2.2 電子特性
    InSb?屬于窄帶隙半導體,能帶隙在 300 K 時為 0.17 eV,在 80 K 時為 0.23 eV。除碳納米管外,未摻雜的 InSb 擁有高于已知半導體材料的室溫電子遷移率(78000 cm2/Vs),電子漂移速度和彈道長度(在 300 K 時可達 0.7 m)。


    3.?銻化銦單晶片的用途
    1)紅外探測領域:制成紅外焦平面探測器,用于天文觀測(收集太空紅外圖像)、紅外成像(應用領域涵蓋安全監視、輔助駕駛、工業檢測等各領域)、集成探測等
    2)?磁敏器件

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