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單面或雙面拋光N型、P型砷化銦(InAs)半導體晶片

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產品價格: \u9762\u8bae/人民幣 
最后更新: 2024-03-02 15:30:21
產品產地: 福建廈門
發貨地: 福建廈門 (發貨期:當天內發貨)
供應數量: 不限
有效期: 長期有效
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    產品詳細說明
    產品參數
    品牌中芯晶研
    批號最新
    封裝單片包裝
    包裝盒裝
    數量10
    晶向(111)、(110)
    直徑2、3、4英寸
    應用半導體器件
    可售賣地區全國
    可售賣地全國
    型號N型、P型

    砷化銦(InAs)是一種由銦和砷組成的直接躍遷半導體,類似于砷化鎵,其禁帶寬度為0.45eV(300K)。其外觀為灰色立方晶體,熔點為942°C,晶格常數為0.6058nm,砷化銦晶體結構為閃鋅礦結構。砷化銦以其高電子遷移率和窄能帶隙而眾所周知,被廣泛用作太赫茲輻射源。
    可供N型和P型半導體砷化銦晶片,規格參數如下:

    1. 砷化銦單晶片規格



    2. InAs晶片應用
    InAs單晶具有高電子遷移率,是制造霍爾器件的理想材料。此外,InAs晶片的發射波長為3.34μm,在InAs襯底上可以生長晶格匹配的InGaAsSb、InAsPSb和InAsSb多外延材料,以制造2~4μm波段的光纖通信激光器和探測器。

    更多產品信息或疑問請郵件咨詢:vp@honestgroup.cn







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