ESD5301N低容瞬變二極管ESD靜電防護器件5VDFN10060.6pF

5V低容瞬變二極管ESD靜電防護器件ESD5301N

Ultra-Low Capacitance1-Line ESD protection

低電容瞬態(tài)電壓抑制器二極管陣列

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ESD5301N-2/TR DFN1006-2L 10000/Tape&Reel

一：ESD靜電二極管ESD5301N-2/TR

參數(shù)：

封裝：DFN1006-2L

電壓：5.0V

擊穿電壓：7.0--9.0V

鉗位電壓：11V

容值：0.65pF

功率：60W

二：ESD靜電二極管ESD5301N-2/TR

特性：

1、小體積外形尺寸

2、在8x20μs脈沖下峰值功率可達60W

3、低漏電流

4、響應時間通常小于1ns

5、依據(jù)人體模型ESD額定值為三級(＞16kV)

6、IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空氣),±8kV(接觸)

7、IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ηs)

DL0501P1單向TVS 5V 0.8PF@1MHz

DL0521P1雙向TVS 5V 0.25PF@1MHz

DL3321P1雙向TVS 3.3V 0.3PF@1MHz

ESD靜電保護二極管參數(shù)詳解

? VRWM：反向截止電壓、通俗地講，就是ESD允許施加的工作電壓，在該電壓下ESD處于截止狀態(tài)，此時ESD的漏電流很小，為幾微安甚至

? VBR：擊穿電壓，擊穿電壓是ESD要開始動作（雪崩擊穿）的電壓，一般在規(guī)定的電流下測量，通常在大小為1mA的電流下測量。

? IR：反向漏電流，即在ESD器件兩端施加VRWM電壓下測得ESD的漏電流。

? IPP：峰值脈沖電流，一般采用8/20μs的波形測量。

? VC：鉗位電壓，在給定大小的IPP下測得ESD兩端的電壓。大部分ESD產(chǎn)品VC與VBR及IPP成正比關系。

? C J：結電容，ESD的結電容與ESD的芯片面積、工作電壓有關系。對于相同電壓ESD產(chǎn)品，芯片面積越大結電容越大；對于相同芯片面積的ESD，工作電壓越高結電容就越低。

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