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常規(guī)與定制結(jié)構(gòu)碳化硅(SiC)外延片用于功率器件

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產(chǎn)品價(jià)格: \u9762\u8bae/人民幣 
最后更新: 2024-04-17 13:19:34
產(chǎn)品產(chǎn)地: 福建廈門
發(fā)貨地: 福建廈門 (發(fā)貨期:當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量: 不限
有效期: 長(zhǎng)期有效
最少起訂: 1
瀏覽次數(shù): 44
詢價(jià)  試用會(huì)員產(chǎn)品
  • 公司基本資料信息
  •  
    產(chǎn)品詳細(xì)說明
    產(chǎn)品參數(shù)
    品牌中芯晶研
    批號(hào)最新
    封裝單片包裝
    包裝盒裝
    品名碳化硅外延片
    晶型4H
    規(guī)格可定制
    生長(zhǎng)方法CVD
    外觀薄膜片
    外延厚度均勻性≤5
    數(shù)量1
    售賣地區(qū)全國(guó)
    可售賣地全國(guó)
    用途功率器件制備
    型號(hào)N型、半絕緣型

    可供常規(guī)碳化硅(SiC)外延片與定制結(jié)構(gòu)外延片,包括同質(zhì)外延與異質(zhì)外延,用于碳化硅器件的開發(fā)。我們通常使用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法在碳化硅襯底上沉積一層單晶或多層單晶薄膜以形成外延晶片。其中,碳化硅同質(zhì)外延片是通過在導(dǎo)電碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層來制備的,進(jìn)一步制成功率器件。具體可參考下方所列碳化硅外延片規(guī)格,該外延片可用于制備MOS電容器:

    1. 碳化硅外延片參數(shù)表



    2. 為什么我們需要碳化硅基底外延片?
    外延是整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)流程中的一個(gè)重要過程。由于器件不能直接在碳化硅單晶材料上制造,且?guī)缀跏峭ㄟ^外延生長(zhǎng)獲得的,碳化硅外延片的質(zhì)量將對(duì)器件的性能產(chǎn)生很大影響。此外,外延層處于整個(gè)半導(dǎo)體工藝的中間位置,這在很大程度上受到晶體和襯底工藝的影響。總之,碳化硅外延工藝在器件的制備中起著重要作用。
    隨著碳化硅功率器件制造要求和耐壓水平的提高,碳化硅外延片發(fā)展方向繼續(xù)朝著低缺陷、厚外延生產(chǎn)。近年來,薄碳化硅外延材料(<20μm)的質(zhì)量不斷提高。外延材料中的微管缺陷已經(jīng)被消除。然而,SiC外延缺陷,如跌落、三角形、胡蘿卜狀、螺旋位錯(cuò)、基面位錯(cuò)、深能級(jí)缺陷等,成為影響器件性能的主要因素。隨著碳化硅外延片工藝流程的發(fā)展,外延層的厚度從過去的幾微米和幾十微米發(fā)展到現(xiàn)在的幾十微米和幾百微米。其中,20um及以下的外延技術(shù)成熟度較高。表面缺陷密度降低到小于1/cm2,位錯(cuò)密度從105/cm2降低到103/cm2,基面位錯(cuò)轉(zhuǎn)化率接近100,基本滿足外延材料大規(guī)模生產(chǎn)SiC器件的要求。


    3. 碳化硅外延片的應(yīng)用領(lǐng)域
    SiC外延晶片主要用于制造600V~3300V功率器件,包括SBD、JBS、PIN、MOSFET、JFET、BJT、GTO、IGBT等,應(yīng)用于射頻(如:5G通信、雷達(dá))、新能源汽車、固態(tài)光源等領(lǐng)域。

    更多碳化硅外延產(chǎn)品信息或疑問,請(qǐng)郵件咨詢vp@honestgroup.cn







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