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藍寶石\/硅\/碳化硅基氮化鎵(GaN)外延片:LED,LD,HEMT應(yīng)用

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產(chǎn)品價格: \u9762\u8bae/人民幣 
最后更新: 2024-04-17 13:19:50
產(chǎn)品產(chǎn)地: 福建廈門
發(fā)貨地: 福建廈門 (發(fā)貨期:當天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量: 不限
有效期: 長期有效
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    產(chǎn)品詳細說明
    產(chǎn)品參數(shù)
    藍寶石/硅/碳化硅基氮化鎵(GaN)外延片:LED,LD,HEMT應(yīng)用 品牌中芯晶研
    批號最新
    封裝單片包裝
    包裝盒裝
    品名氮化鎵外延片
    外延技術(shù)MOCVD
    尺寸2、4、6英寸
    結(jié)構(gòu)可定制生長
    外觀薄膜片
    外延應(yīng)用LED、LD、HEMT器件制備
    數(shù)量10
    可售賣地區(qū)全國
    可售賣地全國
    型號藍寶石、硅、碳化硅基

    作為第三代半導(dǎo)體材料,氮化鎵 (GaN) 具有優(yōu)越的禁帶寬度(遠高于硅和碳化硅)、熱導(dǎo)率、電子遷移率以及導(dǎo)通電阻。由于高溫下GaN生長過程中N的離解壓力較高,很難獲得大尺寸的GaN單晶材料,所以在異質(zhì)襯底上制備外延GaN薄膜已經(jīng)成為研究GaN材料和器件的主要方法。目前,GaN外延生長方法有氫化物氣相外延(HVPE)、分子束外延(MBE)、金屬有機化合物化學(xué)氣相沉淀(MOCVD)。目前,大多數(shù)商用器件都是基于GaN異質(zhì)外延的,主要襯底是碳化硅(SiC)、硅(Si)和藍寶石(Sapphire)。

    可提供2、4、6英寸硅或碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC/Si) HEMT 外延片,也可提供藍寶石基氮化鎵(GaN on Sapphire)HEMT外延片。



    SiC/Si基GaN HEMT典型外延結(jié)構(gòu)

    1.GaN on SiC HEMT外延
    該外延材料結(jié)合了SiC優(yōu)異的導(dǎo)熱性能和GaN高頻和低損耗性能,所以GaN on SiC 熱導(dǎo)率高,使得器件可以在高電壓和高漏電流下工作,是射頻器件的理想材料。目前,GaN-on-SiC外延片主要應(yīng)用于5G基站、國防領(lǐng)域射頻前端的功率放大器(PA)。

    2.GaN-on-Si?HEMT外延
    由于使用Si襯底材料,可在大直徑硅晶圓上外延GaN且具有與傳統(tǒng)Si工藝兼容等優(yōu)勢,成為功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的理想選擇。GaN on Si HEMT外延有常開型即耗盡型(D型)和常關(guān)型即增強型(E型)兩種。




    3.GaN-on-Sapphire HEMT外延
    該外延結(jié)構(gòu)具有良好的均勻性、高擊穿電壓、極低的緩沖區(qū)泄漏電流、高電子濃度、高電子遷移率和低方塊電阻,用于射頻和功率半導(dǎo)體器件。在藍寶石襯底上生長的 GaN HEMT 可以通過將器件倒裝芯片鍵合到導(dǎo)熱和電絕緣的襯底(例如氮化鋁陶瓷)上來實現(xiàn)熱管理。



    GaN on Sapphire HEMT典型外延結(jié)構(gòu)

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