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三五族半導體N型、P型銻化鎵(GaSb)晶片,單面、雙面拋光

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產品價格: \u9762\u8bae/人民幣 
最后更新: 2024-04-17 13:20:19
產品產地: 福建廈門
發貨地: 福建廈門 (發貨期:當天內發貨)
供應數量: 不限
有效期: 長期有效
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    產品詳細說明
    產品參數
    品牌中芯晶研
    批號最新
    封裝單片包裝
    包裝盒裝
    數量10
    直徑2、3、4英寸
    晶向(100)
    拋光單面、雙面
    使用開盒即用
    可售賣地全國
    型號N型、P型

    銻化鎵(GaSb)半導體在 III-V族化合物材料中具有較小的帶隙,在室溫下其能帶隙為 0.70 eV (1.77 μm),在 4K 下為 0.81 eV (1.53 μm),適用于工作在紅外區域的光電器件和波長范圍為 1-5 μm 的電子器件。可提供銻化鎵晶片如下:

    1. 銻化鎵單晶片



    2.?銻化鎵材料特性
    2.1 GaSb 化學性質



    2.2 GaSb 電氣性能




    2.3 GaSb 熱學、機械和光學性能




    3. 銻化鎵晶片應用
    GaSb晶片可用于紅外探測器、紅外LED、激光器和晶體管以及熱光電系統。

    更多產品信息或疑問請郵件咨詢:vp@honestgroup.cn







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