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單面或雙面拋光N型、P型砷化銦(InAs)半導(dǎo)體晶片

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產(chǎn)品價格: \u9762\u8bae/人民幣 
最后更新: 2024-08-03 03:27:36
產(chǎn)品產(chǎn)地: 福建廈門
發(fā)貨地: 福建廈門 (發(fā)貨期:當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
供應(yīng)數(shù)量: 不限
有效期: 長期有效
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  • 公司基本資料信息
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    產(chǎn)品詳細(xì)說明
    產(chǎn)品參數(shù)
    品牌中芯晶研
    批號最新
    封裝單片包裝
    包裝盒裝
    數(shù)量10
    晶向(111)、(110)
    直徑2、3、4英寸
    應(yīng)用半導(dǎo)體器件
    可售賣地區(qū)全國
    可售賣地全國
    型號N型、P型

    砷化銦(InAs)是一種由銦和砷組成的直接躍遷半導(dǎo)體,類似于砷化鎵,其禁帶寬度為0.45eV(300K)。其外觀為灰色立方晶體,熔點為942°C,晶格常數(shù)為0.6058nm,砷化銦晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦結(jié)構(gòu)。砷化銦以其高電子遷移率和窄能帶隙而眾所周知,被廣泛用作太赫茲輻射源。
    可供N型和P型半導(dǎo)體砷化銦晶片,規(guī)格參數(shù)如下:

    1. 砷化銦單晶片規(guī)格



    2. InAs晶片應(yīng)用
    InAs單晶具有高電子遷移率,是制造霍爾器件的理想材料。此外,InAs晶片的發(fā)射波長為3.34μm,在InAs襯底上可以生長晶格匹配的InGaAsSb、InAsPSb和InAsSb多外延材料,以制造2~4μm波段的光纖通信激光器和探測器。

    更多產(chǎn)品信息或疑問請郵件咨詢:vp@honestgroup.cn







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