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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | ON | ||
| 封裝 | SOT223 | ||
| 批號(hào) | 21 | ||
| 數(shù)量 | 16000 | ||
| 制造商 | onsemi | ||
| 產(chǎn)品種類(lèi) | MOSFET | ||
| 安裝風(fēng)格 | SMD/SMT | ||
| 封裝 / 箱體 | SOT-223-3 | ||
| 晶體管極性 | P-Channel | ||
| 通道數(shù)量 | 1 Channel | ||
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 60 V | ||
| Id-連續(xù)漏極電流 | 2.6 A | ||
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻 | 185 mOhms | ||
| Vgs - 柵極-源極電壓 | - 20 V | ||
| 20 V | |||
| Vgs th-柵源極閾值電壓 | 2 V | ||
| Qg-柵極電荷 | 14.3 nC | ||
| 最小工作溫度 | - 55 C | ||
| 最大工作溫度 | 175 C | ||
| Pd-功率耗散 | 2.3 W | ||
| 通道模式 | Enhancement | ||
| 配置 | Single | ||
| 下降時(shí)間 | 38 ns | ||
| 正向跨導(dǎo) - 最小值 | 1.77 S | ||
| 高度 | 1.57 mm | ||
| 長(zhǎng)度 | 6.5 mm | ||
| 上升時(shí)間 | 7.6 ns | ||
| 系列 | NTF2955 | ||
| 晶體管類(lèi)型 | MOSFET | ||
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間 | 11 ns | ||
| 典型接通延遲時(shí)間 | 3.5 mm | ||
| 寬度 | 250 mg | ||
| 可售賣(mài)地 | 全國(guó) | ||
| 型號(hào) | NTF2955T1G | ||
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