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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
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| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號(hào) | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 數(shù)量 | 10 | ||
| 外延應(yīng)用 | HEMT、HBT、LD、LED等器件 | ||
| 外觀 | 薄膜片 | ||
| 外延工藝 | MBE/MOCVD | ||
| 可售賣地區(qū) | 全國(guó) | ||
| 可售賣地 | 全國(guó) | ||
| 型號(hào) | 常規(guī)、定制 | ||
可提供的砷化鎵系列外延產(chǎn)品如下：
1.?霍爾元件材料-砷化鎵外延片 (Hall Components - GaAs Epi Wafer)：
砷化鎵具有高頻，高溫，噪聲小，低溫性能好，抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。因而，基于砷化鎵材料制造的霍爾元件具有更高的穩(wěn)定性和可靠性.
2.?異質(zhì)結(jié)雙極晶體管AlGaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs外延片 (HBT AlGaAs, InGaP/GaAs, InP/InGaAs Epitaxial Wafer)：
AlGaAs/GaAs異質(zhì)結(jié)外延片具有良好的晶格匹配，容易實(shí)現(xiàn)微波與光電器件及其IC；
InP/InGaAs異質(zhì)結(jié)外延片的晶格能匹配，其中InGaAs具有很高的電子遷移率；
InGaP/GaAs異質(zhì)結(jié)外延片不易氧化，具有較大的價(jià)帶不連續(xù)性和較小的導(dǎo)帶不連續(xù)性，是RF電路設(shè)計(jì)的首選。
3.?GaAs、InP基雪崩光電二極管外延片 (APD Epiatxial Wafer)：
InGaAs/InP APD外延材料易于生長(zhǎng)，具有高量子效率和低暗電流。因而與普通光電二極管相比，基于GaAs/InP外延結(jié)構(gòu)的雪崩光電二極管具有靈敏度高，電流增益大以及頻率響應(yīng)快等特點(diǎn)。
4.?贗調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管砷化鎵外延片(pHEMT GaAs Epitaxy)：
基于GaAs 外延材料的贗配高電子遷移率晶體管 ( PHEMT) 因其高電子遷移率、高電流調(diào)制效率、低損耗等優(yōu)異性能，廣泛應(yīng)用于微波和毫米波等頻段。
5.?635nm~2004nm激光GaAs外延片 (635nm~2004nm Laser Diode Epi Wafer)：
GaAs基激光二極管外延片通過(guò)MOCVD反應(yīng)器生長(zhǎng)，用于光纖通信、工業(yè)應(yīng)用、VCSEL、紅外及光電探測(cè)器等各個(gè)領(lǐng)域：
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