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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
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| 品牌 | 美國(guó)Anric | ||
| 前級(jí)泵 | 10L/min | ||
| 加熱方式 | 普通標(biāo)準(zhǔn)加熱 | ||
| 外形尺寸 | 桌面式 | ||
| 外包材質(zhì) | 紙盒 | ||
| 基準(zhǔn)溫度 | 25℃ | ||
| 漏率 | 小于1.0E-8Pa.m3/s | ||
| 發(fā)貨地 | 武漢 | ||
| 產(chǎn)地 | 美國(guó)(原裝進(jìn)口) | ||
| 起訂量 | 1套起批 | ||
| 可售賣地 | 全國(guó) | ||
| 型號(hào) | AT-410 | ||
概括
原子層沉積（Atomic layer deposition）是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒āＴ訉映练e與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過(guò)程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。
應(yīng)用領(lǐng)域
原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度，成份和結(jié)構(gòu)），優(yōu)異的沉積均勻性和*性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。該技術(shù)應(yīng)用的主要領(lǐng)域包括：
1）?晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate）
2）?微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）
3）?光電子材料和器件
4）?集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層
5）?平板顯示器（有機(jī)光發(fā)射二極管材料，OLED）
6）?互連線勢(shì)壘層
7）?互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer）
8）?DRAM、MRAM介電層
9）?嵌入式電容
10）?電磁記錄磁頭
11）?各類薄膜 lt;100nm）
技術(shù)參數(shù)：
基片尺寸：4英寸、6英寸；
加熱溫度：25℃~350℃；
溫度均勻性：±1℃；
前體溫度范圍：從室溫至150℃，±2℃；可選擇加熱套；
前驅(qū)體數(shù)：一次同時(shí)可處理多達(dá)?5?個(gè)?ALD?前體源；
PLC?控制系統(tǒng)：7英寸16?位彩色觸摸屏HMI控制；
模擬壓力控制器：用于快速壓力檢測(cè)和脈沖監(jiān)測(cè)
樣品上載：將樣品夾具從邊上拉出即可；
壓力控制裝置：壓力控制范圍從0.1~1.5Torr
兩個(gè)氧化劑/還原劑源，如水，氧氣或氨氣；
在樣品上沒(méi)有大氣污染物，因?yàn)樵诔练e區(qū)的附近或上游處無(wú)?Elestamor O?型圈出現(xiàn);
氧化鋁催化劑處理能力：6-10?次/分鐘或高達(dá)?1.2?納米/?分鐘（同類zui佳）
高縱橫比沉積，具有良好的共形性
曝光控制，用于在?3D?結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)所需的共形性；
預(yù)置有經(jīng)驗(yàn)證過(guò)的?3D?和?2D?沉積的優(yōu)化配方；
簡(jiǎn)單便捷的系統(tǒng)維護(hù)及安全聯(lián)鎖；
目前市面上占地zui小，可兼容各類潔凈室要求的系統(tǒng)；
可以為非標(biāo)準(zhǔn)樣品而訂制的夾具，如?SEM / TEM?短截線
原子層沉積ALD的應(yīng)用包括：
1) High-K介電材料?(Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；
2)導(dǎo)電門電極?(Ir, Pt, Ru, TiN)；
3)金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)?(Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；
4)催化材料?(Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；
5)納米結(jié)構(gòu)?(All ALD Material)；
6)生物醫(yī)學(xué)涂層?(TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；
7) ALD金屬?(Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；
8)壓電層?(ZnO, AlN, ZnS)；
9)透明電學(xué)導(dǎo)體?(ZnO:Al, ITO);
10)紫外阻擋層?(ZnO, TiO2);
11) OLED鈍化層?(Al2O3);
12)光子晶體?(ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13)防反射濾光片?(Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；
14)電致發(fā)光器件?(SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15)工藝層如蝕刻?hào)艡凇㈦x子擴(kuò)散柵欄等?(Al2O3, ZrO2);
16)光學(xué)應(yīng)用如太陽(yáng)能電池、激光器、光學(xué)涂層、納米光子等?(AlTiO, SnO2, ZnO);
17)傳感器?(SnO2, Ta2O5);
18)磨損潤(rùn)滑劑、腐蝕阻擋層?(Al2O3, ZrO2, WS2)；
目前可以沉積的材料包括：
1）氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2
2）氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ?
3）氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2,
4）金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ?
5）碳化物: TiC, NbC, TaC, ?
6）復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ?
7）硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS,
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