德國SEMIKRON西門康二極管模塊-- 二極管有點接觸型和面接觸型兩種結構形式

點接觸型二極管是由一根很細的金屬觸絲(如三價元素鋁)和一塊半導體(如鍺)的表面接觸，然后在正方向通過很大的瞬時電流，使觸絲和半導體牢固地熔接在一起，三價金屬與鍺結合構成PN結，并做出相應的電極引線，外加管殼密封而成，如圖 2.7所示。由于點接觸型二極管金屬絲很細， 形成的PN結面積很小， 所以，也不能承受高的反向電壓和大的電流。這種類型的管子適于做高頻檢波和脈沖數字電路里的開關元件， 也可用來作小電流整流。 如2APl是點接觸型鍺二極管， 整流電流為16mA，工作頻率為15OMHz。

面接觸型或稱面結型二極管的PN結是用合金法或擴散法做成的。由于這種二極管的PN結面積大，可承受較大的電流，但極間電容也大。這類器件適用于整流，而不宜用于高頻電路中。如2CPl為面接觸型硅二極管，整流電流為40OmA，工作頻率只有3kHz。

特性舉例:

1、正向特性：二極管外加正向偏置電壓時的V-I特性

對應于第①段的正向特性，此時加于二極管的正向電壓只有零點幾伏，但相對來說流過管子的電流卻很大，因此管子呈現的正向電阻很小。但是，在正向特性的起始部分，由于正向電壓較小，外電場還不足以克服PN結的內電場，因而這時的正向電流幾乎為零，二極管呈現出一個大電阻，好像有一個門坎。 硅管的門坎電壓Vth(又稱死區電壓)約為0·5V，鍺管的Vth約為0·lV，當正向電壓大于Vth時，內電場大為削弱，電流因而迅速增長。

2、反向特性：二極管外加反向偏置電壓時的V-I特性

P型半導體中的少數載流子（電子）和N型半導體中的少數載流子（空穴），在反向電壓作用下很容易通過PN結， 形成反向飽和電流。但由于少數載流子的數目很少， 所以， 一般硅管的反向電流比鍺管小得多，其數量級為：硅管nA級，鍺管大mA級。

溫度升高時，由于少數載流子增加，反向電流將隨之急劇增加。

3、反向擊穿特性：二極管擊穿時的V-I特性

當增加反向電壓時， 因在一定溫度條件下， 少數載流子數目有限，故起始一段反向電流沒有多大變化，當反向電壓增加到一定大小時，反向電流劇增，這叫做二極管的反向擊穿， 對應于第③段，其原因與PN結擊穿相同。

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