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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
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| 品牌 | DFIRST FF | ||
| 封裝/規(guī)格 | 0402/3DFN(0.6x1) | ||
| 極性 | 單向 | ||
| 反向截止電壓 | 5V | ||
| 最小擊穿電壓 | 6V | ||
| 最大擊穿電壓 | 8V | ||
| 反向漏電流 | 1NA | ||
| 峰值脈沖電流(Ipp)@10/1000μs | 200w | ||
| 最大鉗位電壓 | 15V | ||
| 峰值脈沖功率(Ppp)@10/1000μs | 200w | ||
| 包裝 | 卷 | ||
| 最小包裝量 | 10000 | ||
| 可售賣(mài)地 | 全國(guó) | ||
| 型號(hào) | DL0521P0L | ||
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訂貨型號(hào) | DL0521P0L |
品牌 | 常州鼎先電子有限公司 |
產(chǎn)品線(xiàn) | Ultra Low Capacitance B-directional TVS Diode ESD TVS低容二極管 |
型號(hào)系列 | DL0521P0L |
品類(lèi) | 二極管 |
描述/說(shuō)明 | 1-Line Bi-directional TVS Diode,VRWM:5V,VBR:6V,Cj Max:0.25pF,IPP@8/20us:8A,Vc@Max IPP:12.5V,PPP:100W |
封裝/外殼/尺寸 | DFN0603-2 |
包裝形式 | 盤(pán)裝? |
生命周期 | 量產(chǎn)中(ACTIVE) |
最小包裝量 | 10000/Tape & Reel |
VRWM(V) | 5 |
VBR(V) | 6 |
Cj Max（pF) | 0.25 |
IPP@8/20us(A) | 8 |
Vc@Max IPP(V) | 12.5 |
PPP(W) | 100 |
針對(duì)智能手機(jī)Type-C接口靜電防護(hù)電路設(shè)計(jì)，DL0521P0L，采用硅工藝制造，工作電壓5V，峰值脈沖功率100W，反向漏電流0.2μA，ESD防護(hù)等級(jí)滿(mǎn)足IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)±20kV（接觸放電）/±25kV（空氣放電），以下是DL0521P0L的主要電氣參數(shù)：
DL0521P0L采用半導(dǎo)體硅工藝設(shè)計(jì)，根據(jù)IEC61000-4-2，它可用于提供±20kV（接觸放電）/±25kV（空氣放電）的ESD保護(hù)，使手機(jī)Type-C接口芯片免受靜電損傷，提高產(chǎn)品可靠性。
2、由于Type-C接口可以支持USB 2.0、3.0、3.1 Gen1或者3.1 Gen2等多種標(biāo)準(zhǔn)，數(shù)據(jù)傳輸速率高，因此要求ESD器件結(jié)電容盡量低，否則會(huì)影響信號(hào)傳輸質(zhì)量，DL0521P0L的結(jié)電容低至0.25pF，可以保證高速信號(hào)傳輸完整性。
3、手機(jī)內(nèi)部空間有限，要求器件體積盡量小，DL0521P0L的封裝尺寸是0.6*0.3*0.3mm，節(jié)省PCB占用面積，增加電路設(shè)計(jì)靈活性.
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