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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
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| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號(hào) | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 數(shù)量 | 10 | ||
| 直徑 | 2、3、4英寸 | ||
| 晶格常數(shù) | 0.648 nm | ||
| 拋光 | 單面、雙面 | ||
| 可售賣地區(qū) | 全國(guó) | ||
| 可售賣地 | 全國(guó) | ||
| 型號(hào) | N型、P型 | ||
銻化銦（InSb）是由元素銦（In）和銻（Sb）制成的結(jié)晶化合物，具有穩(wěn)定的物理化學(xué)性能和優(yōu)良的工藝相容性。它是III-V族的窄間隙半導(dǎo)體材料，可提供2”, 3”, 4” 銻化銦單晶片，參數(shù)如下：
1. 銻化銦單晶片規(guī)格參數(shù)
2. 銻化銦單晶片特性
2.1 物理性質(zhì)
InSb 外觀為深灰色銀色金屬顆粒或具有玻璃光澤的粉末。當(dāng)加熱超過 500°C 時(shí)，它會(huì)熔化并分解，釋放出銻和氧化銻煙霧。晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦，晶格常數(shù)為 0.648 nm。
分子量：236.58
外觀：深灰色金屬晶體
熔點(diǎn)：527°C
密度：5.78 g/cm3
水中溶解度：不溶
2.2 電子特性
InSb?屬于窄帶隙半導(dǎo)體，能帶隙在 300 K 時(shí)為 0.17 eV，在 80 K 時(shí)為 0.23 eV。除碳納米管外，未摻雜的 InSb 擁有高于已知半導(dǎo)體材料的室溫電子遷移率（78000 cm2/Vs），電子漂移速度和彈道長(zhǎng)度（在 300 K 時(shí)可達(dá) 0.7 m）。
3.?銻化銦單晶片的用途
1）紅外探測(cè)領(lǐng)域：制成紅外焦平面探測(cè)器，用于天文觀測(cè)（收集太空紅外圖像）、紅外成像（應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋安全監(jiān)視、輔助駕駛、工業(yè)檢測(cè)等各領(lǐng)域）、集成探測(cè)等
2）?磁敏器件
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