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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
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| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號 | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 晶體結(jié)構(gòu) | 纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu) | ||
| 帶隙 | 3.4eV | ||
| 有效面積 | >90 | ||
| 總厚度變化 | ≤15um | ||
| 彎曲度 | ≤20um | ||
| 拋光 | 正面：外延級拋光；背面：精磨 | ||
| 數(shù)量 | 10 | ||
| 可售賣地區(qū) | 全國 | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 型號 | N型，半絕緣型 | ||
氮化鎵（GaN）是二十世紀(jì)九十年代以來常用于發(fā)光二極管的二元III / V族直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物是一種非常堅硬的材料，具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。其3.4 eV的寬帶隙為光電，高功率和高頻器件的應(yīng)用提供了特殊的性能。可供氫化物氣相外延（HVPE）技術(shù)生長導(dǎo)電型與半絕緣型氮化鎵單晶襯底晶片，晶片參數(shù)大致如下：
1. 氮化鎵晶片規(guī)格參數(shù)
2. 氮化鎵襯底的應(yīng)用場景
1）GaN襯底可制備發(fā)光二極管（LED）與紫外激光二極管（LD）；
2）它對電離輻射的敏感性很低（與其他III族氮化物一樣），使其成為衛(wèi)星太陽能電池陣列的合適材料。
3）由于設(shè)備在輻射環(huán)境中表現(xiàn)出穩(wěn)定性，因此太空應(yīng)用也可能受益。
4）由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作，并且工作電壓比砷化鎵（GaAs）晶體管高得多，因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。
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