碳化硅（SiC）半導體材料是一種共價鍵晶體，有閃鋅礦型和鉛鋅礦 型兩種結晶形式。SiC晶體存在各種多型體（多晶型體），它們的物理特性值各有不同。其中，只有4H-SiC和6H-SiC的六方結構和3C-SiC的立方結構可以用于商業用途，且4H-SiC最適用于功率元器件。碳化硅單晶處于碳化硅產業鏈的前沿，是高端芯片產業發展的基礎和關鍵。SiC襯底尺寸越大，每個單位襯底上可以制造的芯片越多，邊緣浪費越小，因此單位芯片成本越低。
可提供不同尺寸厚度、不同質量等級、不同類型的半導體碳化硅單晶襯底。根據導電類型，碳化硅襯底類型主要分為導電N型、P型和半絕緣型。以下列舉6英寸N型與半絕緣型碳化硅襯底參數僅供參考：

1. 碳化硅襯底規格
1.1 6英寸導電N型4H-SiC襯底規格

1.2 6英寸高純半絕緣4H-SiC襯底規格

2. 碳化硅半導體材料特性
碳化硅晶片具有優異的熱力學和電化學性能，具體參數如下表：

3. 碳化硅襯底片應用
導電N型碳化硅襯底主要用于碳化硅外延，制成碳化硅二極管、MOSFET等功率器件，應用在高溫高壓環境中，應用于新能源汽車、歸到交通、智能電網、航天航空等領域。
P型碳化硅襯底電子相對空穴具有較高的遷移率，并且能夠獲取更低的導通壓降，所以該類型襯底主要用于制備功率器件，特別是絕緣器件柵極雙極晶體管 (IGBT)。
而半絕緣碳化硅襯底主要用于氮化鎵（GaN）外延，制成HEMT等微波器件，用于高溫高頻環境，5G通信、衛星、雷達等領域。

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