MOCVD\/HVPE生長寬禁帶半導體氮化鎵（GaN）薄膜片

目前，GaN外延生長方法有氫化物氣相外延（HVPE）、分子束外延（MBE）、金屬有機化合物化學氣相沉淀（MOCVD）。目前，大多數商用器件都是基于GaN異質外延的，主要襯底是碳化硅（SiC）、硅（Si）和藍寶石（Sapphire）。

可供硅/碳化硅/藍寶石基氮化鎵(GaN on Si/SiC/Sapphire) 外延片，主要應用于HMET, LED, LD等器件制備。具體參數以HEMT外延片為例：

SiC/Si基GaN HEMT典型外延結構

1. GaN on SiC HEMT外延
由于碳化硅具有優異的導熱性，與氮化鎵的高功率密度和低損耗相結合，該類外延片是射頻器件的合適材料，目前碳化硅基氮化鎵外延片的主流尺寸為在4寸與6寸。
目前，GaN-on-SiC外延片主要應用于5G基站、國防領域射頻前端的功率放大器（PA）。

2. GaN-on-Si?HEMT外延
由于硅是最成熟和成本最低的襯底材料，且硅的生長速度很快，因此在硅基上外延氮化鎵可以有效降低成本，同時可制作大尺寸外延片。
GaN on Si HEMT外延有常開型即耗盡型（D型）和常關型即增強型（E型）兩種。

3. GaN-on-Sapphire HEMT外延
該外延片目前主流尺寸為4寸，具有良好的均勻性、高擊穿電壓、極低的緩沖區泄漏電流、高電子濃度、高電子遷移率和低方塊電阻，用于射頻和功率半導體器件。

GaN on Sapphire HEMT典型外延結構

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