銻化鎵（GaSb）單晶III-V族化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)可供襯底與外延片

銻化鎵（GaSb）單晶屬于III-V族化合物材料，具有較小的帶隙，在室溫下其能帶隙為 0.70 eV (1.77 μm)，在 4K 下為 0.81 eV (1.53 μm)。該材料適用于工作在紅外區(qū)域的光電器件和波長范圍為 1-5 μm 的電子器件。可提供銻化鎵晶片，參數(shù)如下僅供參考：

1. GaSb 單晶片

2.?GaSb單晶特性
2.1 化學(xué)性能

2.2 電氣性能

2.3 熱學(xué)、機(jī)械和光學(xué)性能

3. GaSb單晶應(yīng)用
GaSb晶片可用于制備紅外探測器、紅外LED、激光器和晶體管以及熱光電系統(tǒng)。

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