砷化鎵（GaAs）是一種由鎵和砷元素構成的重要的直接帶隙半導體材料，屬于III-V族化合物半導體，閃鋅礦晶格結構，晶格常數為5.6419A，熔點為1237°C，帶隙為1.4eV。砷化鎵半導體材料通常用于外延生長其他III-V半導體材料，包括砷化銦鎵（InGaAs），砷化鋁鎵（AlGaAs）等。可提供砷化鎵單晶及襯底片，砷化鎵襯底晶片參數如下：

1. 砷化鎵襯底規(guī)格參數

2. 砷化鎵晶片用途

砷化鎵襯底可用于制造微波頻率集成電路，單片微波集成電路，紅外發(fā)光二極管（LED），激光二極管（LD），太陽能電池和光學窗口等設備。
此外，砷化鎵可以制成半絕緣高電阻材料，可用于制造紅外探測器、伽馬光子探測器等。由于其電子遷移率是硅的5到6倍，因此半絕緣砷化鎵晶圓在微波器件和高速數字電路的制造中得到了重要應用。砷化鎵半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能、低噪聲、抗輻射能力強等優(yōu)點，使砷化鎵襯底晶片市場需求不斷擴大。

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