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高導熱SiC單晶襯底切割服務支持4\/6\/8英寸晶片

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產品價格: 1.00/人民幣 
最后更新: 2025-03-27 19:16:32
產品產地: 福建廈門
發貨地: 福建廈門 (發貨期:當天內發貨)
供應數量: 不限
有效期: 長期有效
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    產品詳細說明
    產品參數
    高導熱 SiC 單晶襯底切割服務 支持4/6/8英寸晶片 品牌中芯晶研
    批號最新
    封裝單片包裝
    包裝盒裝
    最小包裝量1
    品名碳化硅晶片
    晶型4H
    厚度可定制
    表面處理單面或雙面拋光
    外觀薄膜片
    尺寸4、6、8英寸
    數量1
    售賣地區全國
    可售賣地全國
    用途半導體領域
    等級工業級、研究級、測試級
    型號N型、P型、半絕緣型

    可提供不同尺寸厚度、不同質量等級、不同類型的半導體碳化硅單晶襯底。根據導電類型,碳化硅襯底類型主要分為導電N型、P型和半絕緣型。以下列舉6英寸N型與半絕緣型碳化硅襯底參數僅供參考:

    1. 碳化硅襯底規格
    1.1 6英寸導電N型4H-SiC襯底規格




    1.2 6英寸高純半絕緣4H-SiC襯底規格




    2. 碳化硅半導體材料特性
    碳化硅晶片具有優異的熱力學和電化學性能,具體參數如下表:



    3. 碳化硅襯底片應用



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