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產品參數 | |||
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高導熱 SiC 單晶襯底切割服務 支持4/6/8英寸晶片 品牌 | 中芯晶研 | ||
批號 | 最新 | ||
封裝 | 單片包裝 | ||
包裝 | 盒裝 | ||
最小包裝量 | 1 | ||
品名 | 碳化硅晶片 | ||
晶型 | 4H | ||
厚度 | 可定制 | ||
表面處理 | 單面或雙面拋光 | ||
外觀 | 薄膜片 | ||
尺寸 | 4、6、8英寸 | ||
數量 | 1 | ||
售賣地區 | 全國 | ||
可售賣地 | 全國 | ||
用途 | 半導體領域 | ||
等級 | 工業級、研究級、測試級 | ||
型號 | N型、P型、半絕緣型 |
可提供不同尺寸厚度、不同質量等級、不同類型的半導體碳化硅單晶襯底。根據導電類型,碳化硅襯底類型主要分為導電N型、P型和半絕緣型。以下列舉6英寸N型與半絕緣型碳化硅襯底參數僅供參考:
1. 碳化硅襯底規格
1.1 6英寸導電N型4H-SiC襯底規格
1.2 6英寸高純半絕緣4H-SiC襯底規格
2. 碳化硅半導體材料特性
碳化硅晶片具有優異的熱力學和電化學性能,具體參數如下表:
3. 碳化硅襯底片應用
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