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| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
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| SiC外延代工服務(wù)：支持4/6英寸晶圓、科研機(jī)構(gòu)/企業(yè)定制 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號(hào) | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 品名 | 碳化硅外延片 | ||
| 晶型 | 4H | ||
| 規(guī)格 | 可定制 | ||
| 生長(zhǎng)方法 | CVD | ||
| 外觀 | 薄膜片 | ||
| 外延厚度均勻性 | ≤5 | ||
| 數(shù)量 | 1 | ||
| 售賣(mài)地區(qū) | 全國(guó) | ||
| 起訂量 | 5 | ||
| 可售賣(mài)地 | 全國(guó) | ||
| 用途 | 功率器件制備 | ||
| 型號(hào) | N型、半絕緣型 | ||
可供常規(guī)碳化硅（SiC）外延片與定制結(jié)構(gòu)外延片，包括同質(zhì)外延與異質(zhì)外延，用于碳化硅器件的開(kāi)發(fā)。我們通常使用化學(xué)氣相沉積（CVD）方法在碳化硅襯底上沉積一層單晶或多層單晶薄膜以形成外延晶片。其中，碳化硅同質(zhì)外延片是通過(guò)在導(dǎo)電碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層來(lái)制備的，進(jìn)一步制成功率器件。具體可參考下方所列碳化硅外延片規(guī)格，該外延片可用于制備MOS電容器：
1. 碳化硅外延片參數(shù)表
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2. 碳化硅外延片的應(yīng)用領(lǐng)域
SiC外延晶片主要用于制造600V~3300V功率器件，包括SBD、JBS、PIN、MOSFET、JFET、BJT、GTO、IGBT等，應(yīng)用于射頻（如：5G通信、雷達(dá)）、新能源汽車(chē)、固態(tài)光源等領(lǐng)域。
更多碳化硅外延產(chǎn)品信息或疑問(wèn)，請(qǐng)郵件咨詢(xún)vp@honestgroup.cn
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