可供常規碳化硅（SiC）外延片與定制結構外延片，包括同質外延與異質外延，用于碳化硅器件的開發。我們通常使用化學氣相沉積（CVD）方法在碳化硅襯底上沉積一層單晶或多層單晶薄膜以形成外延晶片。其中，碳化硅同質外延片是通過在導電碳化硅襯底上生長碳化硅外延層來制備的，進一步制成功率器件。具體可參考下方所列碳化硅外延片規格，該外延片可用于制備MOS電容器：

1. 碳化硅外延片參數表

2. 碳化硅外延片的應用領域
SiC外延晶片主要用于制造600V~3300V功率器件，包括SBD、JBS、PIN、MOSFET、JFET、BJT、GTO、IGBT等，應用于射頻（如：5G通信、雷達）、新能源汽車、固態光源等領域。

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