可供氫化物氣相外延（HVPE）技術(shù)生長(zhǎng)導(dǎo)電型與半絕緣型氮化鎵單晶襯底晶片，晶片參數(shù)大致如下：

1. 氮化鎵自支撐襯底參數(shù)表

2. 氮化鎵

氮化鎵（GaN）屬于III / V族直接帶隙半導(dǎo)體，常用于發(fā)光二極管器件制備。該化合物是一種非常堅(jiān)硬的材料，具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。其3.4 eV的寬帶隙為光電，高功率和高頻器件的應(yīng)用提供了特殊的性能。

3. 氮化鎵襯底的應(yīng)用場(chǎng)景

1）GaN襯底可制備發(fā)光二極管（LED）與紫外激光二極管（LD）；
2）它對(duì)電離輻射的敏感性很低（與其他III族氮化物一樣），使其成為衛(wèi)星太陽能電池陣列的合適材料。
3）由于設(shè)備在輻射環(huán)境中表現(xiàn)出穩(wěn)定性，因此太空應(yīng)用也可能受益。
4）由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作，并且工作電壓比砷化鎵（GaAs）晶體管高得多，因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。

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