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產品參數 | |||
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FDB3632 場效應管 N/A 陰極接入電阻 陽極電壓 頻率響應 品牌 | ON | ||
封裝 | N/A | ||
批號 | 18 | ||
數量 | 1519 | ||
制造商 | ON Semiconductor | ||
產品種類 | MOSFET | ||
RoHS | 是 | ||
安裝風格 | SMD/SMT | ||
封裝 / 箱體 | TO-263-3 | ||
通道數量 | 1 Channel | ||
晶體管極性 | N-Channel | ||
Vds-漏源極擊穿電壓 | 100 V | ||
Id-連續漏極電流 | 80 A | ||
Rds On-漏源導通電阻 | 7.5 mOhms | ||
Vgs - 柵極-源極電壓 | 20 V | ||
最小工作溫度 | - 55 C | ||
最大工作溫度 | 175 C | ||
Pd-功率耗散 | 310 W | ||
配置 | Single | ||
通道模式 | Enhancement | ||
高度 | 4.83 mm | ||
長度 | 10.67 mm | ||
系列 | FDB3632 | ||
晶體管類型 | 1 N-Channel | ||
寬度 | 9.65 mm | ||
下降時間 | 46 ns | ||
上升時間 | 39 ns | ||
典型關閉延遲時間 | 96 ns | ||
典型接通延遲時間 | 30 ns | ||
零件號別名 | FDB3632_NL | ||
單位重量 | 1.312 g | ||
可售賣地 | 全國 | ||
型號 | FDB3632 |