光刻機MSMASMA-600M光刻機掩膜曝光光刻機MaskAligner光刻系統

概括：

MYCRO原裝進口荷蘭光刻機（光刻機Mask MSMA），是全球的光刻系統，為半導體制造和科研領域提供品質優良穩定的全波段紫外光刻機系統，廣泛的應用于半導體光刻工藝制程、微機電MEMS、二極管芯片、發光二極體（LED）芯片制造、生物器件、納米科技、顯示面板LCD、光電器件、奈米壓印以及電子封裝等諸多領域。客戶如美國航空航天公司、飛利浦、摩托羅拉、惠普、牛津大學、劍橋大學、斯坦福大學、倫敦大學等等。

技術參數：

光刻機分為半自動和全自動兩大系列。SMA-600M是用于研發和多產品生產領域的手動掩模對準儀，采用清晰的光學系統和完全非接觸式校準單元。通過接觸或接近模式可以曝光到Z大φ150mm的晶片。它是曝光工藝中Z適合用于各種電子設備的系統，例如LD，LED等化合物半導體，以及包括壓力傳感器等在內的微型機械的制造工藝。

1、光掩模的尺寸：5英寸Z大；

2、晶片大小：Z高4英寸(無定形)；

3、掩模架滑動：手動卡盤；

4、模板移動：X=±3mm, Y=±3mm；

5、曝光方法：支持接近式曝光，各種接觸式（軟接觸/硬接觸/間隙印刷/真空接觸/低真空接觸）曝光；

6、照明：250W超高壓水銀燈

7、照明不均勻性：±5

8、有效接觸面積：直徑o100毫米

9、分辨率：3mμL/S

10、對齊方法：通過攝像頭查看

11、對齊物鏡：10 x(上/下)

12、總放大倍率：100 x

13、物鏡分離：15?90毫米

14、對準范圍：X,Y=±4毫米

15、對準間隙：99年09年μm

16、對準精度：小于±5毫米

17、主機電源：100-200交流，50/60Hz, 15A (600W)

18、氮氣：0.4?0.5 Mpa

19、真空壓力：小于21.3kPa(大氣壓-80kPa)

三、產品特點：

用于研發，多產品生產領域

技術的前沿

采用完全非接觸式校準系統

校準時不會損壞掩模和晶圓

間隙精度的顯著提高

基于“輔助線”的高精度對準是可能的

客服熱線：4008800298

邁可諾技術有限公司

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