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| 產品參數 | |||
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| 品牌 | RM亞成微 | ||
| 封裝 | PLP8*8 | ||
| 批號 | 21 | ||
| 數量 | 89213 | ||
| 優勢 | 行業先進的3D封裝技術,芯片內部集成 | ||
| FET | 650VGaNFET | ||
| 功率 | 120W快充 | ||
| 體積小 | 小體積 | ||
| 固頻 | 130Khz | ||
| OVP | VCCOVP | ||
| OLP | 過載保護(OLP | ||
| 保護 | CS短路保護 | ||
| 短路保護 | 輸出肖特基短路保護 | ||
| 模式 | 支持CCM\/QR混合模式 | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 型號 | RM6820NQ | ||
RM6820NQ采用行業先進的3D封裝技術，芯片內部集成ZVS反激式開關電源控制器、650V GaN FET、氮化鎵驅動器以及驅動保護等，支持最大120W快充，具有小體積、高效率、高性能、低功耗等特點，實現了高可靠、高效率、高集成的小型化大功率快充電源設計要求。
RM6820NQ 集成多種工作模式，在重載情況下，系統工作在傳統的固頻 130Khz 的 PWM 模式下，在低壓輸入時會進入 CCM 模式；在重載情況下，系統工作在 QR 模式，并采用專有 ZVS 技術，以降低開關損耗，同時結合 PFM 工作模式提高系統效率；RM6820NQ 采用專有的驅動技術，搭配高壓 GaNFET功率器件改善 EMI 設計；在輕載或空載情況下，系統工作在 Burst Mode 模式，有效去除音頻噪音，同時在該模式下，RM6820NQ 本身損耗極低，因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善 EMI。
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RM6820NQ 同時集成了多種保護模式和補償電路，包括 VCC OVP，內置 OTP，外置 OVP，欠壓鎖定（uvlo),逐周期過流保護 OCP，過載保護（OLP），CS 短路保護，輸出肖特基短路保護等，并內置斜坡補償和 ZVS 線電壓補償。
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■?支持 CCM/QR 混合模式；
■?專有 ZVS 技術；
■?內置 700V 高壓啟動；
■?內置 650V GaNFET；?
■?支持最大 130KHz 工作頻率；
■?內置特有抖頻技術改善 EMI；?
■?Burst Mode 去噪音； ??
■?低啟動電流（2uA），低工作電流；?
■?集成斜坡補償及 ZVS 高低壓補償；
■?集成 AC 輸入 Brown out/in 功能；
■?外置 OVP 保護；
■?具有輸出肖特基短路保護/CS 短路保護；
■?內置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護。
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