漆膜介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀

　　技術(shù)參數(shù)：

　　1．Q值測(cè)量

　　a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。

　　b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。

　　c．標(biāo)稱誤差

　　頻率范圍（100kHz～10MHz）： 頻率范圍（10MHz～160MHz）：

　　固有誤差：≤5％±滿度值的2 固有誤差：≤6％±滿度值的2

　　工作誤差：≤7％±滿度值的2 工作誤差：≤8％±滿度值的2

　　2．電感測(cè)量范圍：4.5nH~7.9mH

　　3．電容測(cè)量：1~205

　　主電容調(diào)節(jié)范圍：18～220pF

　　準(zhǔn)確度：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1

　　注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見后頁使用說明

　　4. 信號(hào)源頻率覆蓋范圍

　　頻率范圍CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,

　　CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,

　　5．Q合格指示預(yù)置功能: 預(yù)置范圍：5～1000。

　　6．B-測(cè)試儀正常工作條件

　　a. 環(huán)境溫度：0℃～ 40℃；

　　b．相對(duì)濕度 lt;80％；

　　c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

　　7．其他

　　a．消耗功率：約25W；

　　b．凈重：約7kg；

　　c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

　　漆膜介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀

　　電場(chǎng)強(qiáng)度

　　存在界面極化時(shí)，自由離子的數(shù)目隨電場(chǎng)強(qiáng)度增大而增加，其損耗指數(shù) 大值的大小和位置也隨此而變。

　　在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場(chǎng)強(qiáng)度無關(guān).

　　陶瓷材料的損耗

　　陶瓷材料的介質(zhì)損耗主要來源于電導(dǎo)損耗、松弛質(zhì)點(diǎn)的極化損耗和結(jié)構(gòu)損耗。此外，表面氣孔吸附水分、油污及灰塵等造成的表面電導(dǎo)也會(huì)引起較大的損耗。

　　在結(jié)構(gòu)緊密的陶瓷中，介質(zhì)損耗主要來源于玻璃相。為了改善某些陶瓷的工藝性能，往往在配方中引人此易熔物質(zhì)（如黏土），形成玻璃相，這樣就使損耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷隨黏土含量增大，介質(zhì)損耗也增大。因面一般高頻瓷，如氧化鋁瓷、金紅石等很少含有玻璃相。大多數(shù)電陶瓷的離子松弛極化損耗較大，主要的原因是：主晶相結(jié)構(gòu)松散，生成了缺固濟(jì)體、多品型轉(zhuǎn)變等。

　　漏導(dǎo)損耗

　　實(shí)際使用中的絕緣材料都不是完善的理想的電介質(zhì)，在外電場(chǎng)的作用下，總有一些帶電粒子會(huì)發(fā)生移動(dòng)而引起微弱的電流，這種微小電流稱為漏導(dǎo)電流，漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時(shí)使介質(zhì)發(fā)熱而損耗了電能。這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為“漏導(dǎo)損耗”。由于實(shí)阿的電介質(zhì)總存在一些缺陷，或多或少存在一些帶電粒子或空位，因此介質(zhì)不論在直流電場(chǎng)或交變電場(chǎng)作用下都會(huì)發(fā)生漏導(dǎo)損耗。

　　介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡(jiǎn)稱介損。在交變電場(chǎng)作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角（功率因數(shù)角Φ）的余角δ稱為介質(zhì)損耗角。

　　損耗因子也指耗損正切，是交流電被轉(zhuǎn)化為熱能的介電損耗（耗散的能量）的量度，一般情況下都期望耗損因子低些好 。

　　電介質(zhì)在恒定電場(chǎng)作用下，介質(zhì)損耗的功率為

　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd

　　定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗率為

　　ω=σE2

　　在交變電場(chǎng)作用下，電位移D與電場(chǎng)強(qiáng)度E均變?yōu)閺?fù)數(shù)矢量，此時(shí)介電常數(shù)也變成復(fù)數(shù)，其虛部就表示了電介質(zhì)中能量損耗的大小。

　　D，E，J之間的相位關(guān)系圖

　　D，E，J之間的相位關(guān)系圖

　　如圖所示，從電路觀點(diǎn)來看，電介質(zhì)中的電流密度為

　　J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ iJe

　　式中Jτ與E同相位。稱為有功電流密度，導(dǎo)致能量損耗；Je，相比較E超前90°，稱為無功電流密度。

　　定義

　　tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

　　式中，δ稱為損耗角，tanδ稱為損耗角正切值。

　　損耗角正切表示為獲得給定的存儲(chǔ)電荷要消耗的能量的大小，是電介質(zhì)作為絕緣材料使用時(shí)的重要評(píng)價(jià)參數(shù)。為了減少介質(zhì)損耗，希望材料具有較小的介電常數(shù)和更小的損耗角正切。損耗因素的倒數(shù)Q=（tanδ）-1在高頻絕緣應(yīng)用條件下稱為電介質(zhì)的品質(zhì)因素，希望它的值要高。

　　主要特點(diǎn)：

　　空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。

　　印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低

　　LKI-1電感組：

　　線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值 分布電容p 電感值

　　9 100KHz 98 9.4 25mH

　　8 400KHz 138 11.4 4.87mH

　　7 400KHz 202 16 0.99mH

　　6 1MHz 196 13 252μH

　　5 2MHz 198 8.7 49.8μH

　　4 4.5MHz 231 7 10μH

　　3 12MHz 193 6.9 2.49μH

　　2 12MHz 229 6.4 0.508μH

　　1 25MHz，50MHz 233，211 0.9 0.125μH