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品牌：德國 PAPST
型號：TYP 7855 S
尺寸:172x150x55MM
電壓:230V 50/60Hz
功率：39/37W
風扇框架：黑烤漆鋁合金壓鑄防腐
風葉：全金屬扇葉
風扇旋向：從扇葉方向看為逆時針運行
馬達：罩極馬達
溫度：－40攝氏度到＋75攝氏度
貯存溫度：－50攝氏度到＋90攝氏度
軸承：高精度雙滾珠軸承
電源范圍：額定電源的正負15％
絕緣電阻：大于500兆歐
耐電壓：匯漏電流0.5ｍＡ 500Ｖ／1分鐘
工作壽命：環境溫度25度時80000小時
功函數
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中文名功函數外文名work function表達式J=ATe應用學科電子學
基本簡介
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簡述
LED日光燈驅動電源
功函數的大小通常大概是金屬自由原子電離能的二分之一。金屬的功函數表示為一個起始能量等于費米能級的電子，由金屬內部逸出到真空中所需要的最小能量。功函數的大小標志著電子在金屬中束縛的強弱，功函數越大，電子越不容易離開金屬。金屬的功函數約為幾個電子伏特。銫的功函最低，為1.93ev；鉑的最高，為5.36ev。功函數的值與表面狀況有關，隨著原子序數的遞增，功函數也呈現周期性變化。在半導體中，導帶底和價帶頂一般都比金屬最小電子逸出能低。要使電子從半導體逸出，也必須給它以相應的能量。與金屬不同，半導體的功函和摻雜濃度有關。
可以簡單的理解為物體擁有或者抓獲電子的能力。
金屬相關
單位:電子伏特,eV
金屬
功函數
金屬
功函數
金屬
功函數
金屬
功函數
金屬
功函數
金屬
功函數
Ag
4.26
Al
4.28
As
3.75
Au
5.1
B
4.45
Ba
2.7
Be
4.98
Bi
4.22
C
5
Ca
2.87
Cd
4.22
Ce
2.9
Co
5
Cr
4.5
Cs
2.14
Cu
4.65
Eu
2.5
Fe
4.5
Ga
4.2
Ge
3.1
Hf
3.9
Hg
4.49
In
4.12
Ir
5.27
K
2.3
La
3.5
Li
2.9
Lu
3.3
Mg
3.66
Mn
4.1
Mo
4.6
Na
2.75
Nb
4.3
Nd
3.2
Ni
5.15
Os
4.83
Pb
4.25
Pt
5.65
Rb
2.16
Re
4.96
Rh
4.98
Ru
4.71
Sb
4.55
Sc
3.5
Se
5.9
Si
4.85
Sm
2.7
Sn
4.42
Sr
2.59
Ta
4.25
Tb
3
Te
4.95
Th
3.4
Ti
4.33
Tl
3.84
U
3.63
V
4.3
W
4.55
Y
3.1
Zn
4.33
效應
金屬的功函數W與它的費米能級密切相關但兩者并不相等。這是因為真實世界中的固體具有表面效應：真實世界的固體并不是電子和離子的無限延伸重復排滿整個布拉菲格子的每一個原胞。沒有任何一者能僅僅位于一系列布拉菲格點在固體占據且充滿了非扭曲電荷分布基至所有原胞的幾何區域V。的確，那些原胞中靠近表面的電荷分布將會與理想無限固體相比被顯著的扭曲，導致一個有效表面偶極子分布，或者，有些時候同時有表面偶極子分布和表面電荷分布。
能夠證明如果我們定義功函數為把電子從固體中立即移出到一點所需的最小能量，但是表面電荷分布的效應能夠忽略，僅僅留下表面偶極子分布。如果定義帶來表面兩端勢能差的有效表面偶極子為。且定義從不考慮表面扭曲效應的有限固體計算出的為費米能，當按慣例位于的勢為零。那么，正確的功函數公式為：
其中是負的，表明電子在固體中富集。
光電功函數
光電功函數為
φ =hf0， 其中h是普朗克常數而f0是能產生光電發射光子的最小(閾值)頻率。當電子獲得能量時，它從一個能級以「量子躍遷」的方式跳到另一個能級。這一過程稱為電子的激發，其中較高能級稱為「激發態」而較低能級稱作「基態」。
熱功函
功函數在熱發射理論中也同等重要。這里電子從熱而非光子中獲得能量。在這種情況下，即電子從加熱的充滿負電的真空管燈絲逃逸的情況下，功函數可被稱作熱功函。鎢是真空管中常見的金屬元素，它的功函數大約是4.5eV。
熱發射要求有燈絲加熱電流(if)，來保持2000-2700K的溫度。一旦達到燈絲電流的飽和態，則燈絲電流的小改變不再影響電子束電流。電子槍被提供一個非常靠近克服功函數(W)所需勢的燈絲電流(Goldstein, 2003)。熱功函取決于晶體取向而且趨向于對開放晶格的金屬更小，對于原子緊密堆積的金屬更大。范圍大概是1.5–6 eV。某種程度上稠密晶面比開放晶格金屬更高。
應用
測量
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概述
很多基于不同物理效應的技術被發展出來來測量樣品的電學功函數。可以區分出兩類功函數測量的試驗方法：絕對測量和相對測量。
光發射
光電發射光譜學(PES)是基于外光電效應的光譜學技術術語。對于紫外光電子光譜學(UPS)，固體樣品的表面被用紫外(UV)光激發然后發射電子的動能得到分析。因為紫外光是能量hν低于100eV的電磁輻射，它能夠只抓出價電子。因為固體中電子逃逸深度的限制紫外光電子光譜對表面非常敏感，因為信息深度的范圍為2 – 3個單層。同時測量原理限制了光電發射光譜學被用于UHV情形。得到的光譜通過提供態密度、占據態及功函數等信息反應了樣品電子結構。
