銷售IPU60R3K4CE和IPD60R3K4CE同系列MOS管

【產(chǎn)品信息】

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：2.6A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 40μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：4.6nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：93pF @ 100V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：29W（Tc）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：3.4 歐姆 @ 500mA，10V

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

【同系列半導(dǎo)體產(chǎn)品】

IPA60R800CE

IPD50R950CE

IPSA70R600CE

IPS70R1K4CE

IPA50R650CE

IPU60R1K0CE

IPU80R1K0CE

IPU50R950CE

IPS70R950CE

IPS65R1K5CE

IPN50R3K0CE

IPD70R2K0CE

IPU50R2K0CE

IPS60R2K1CE

IPS60R1K0CE

IPS70R2K0CE

IPSA70R950CE

IPS60R1K5CE

IPS60R3K4CE

IPU50R3K0CE

IPS65R650CE

IPSA70R2K0CE

IPU60R3K4CE

IPD60R3K4CE

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