100%原裝正品IPSA70R950CE和IPS60R1K5CE

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【規(guī)格】

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：700V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：8.7A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 150μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：15.3nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：328pF @ 100V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：94W（Tc）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：950 毫歐 @ 1.5A，10V

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO251-3

封裝/外殼：TO-251-3 短截引線，IPak