IPD70R2K0CE有現(xiàn)貨，實(shí)單歡迎咨詢

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FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：700V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：4A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 70μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：7.8nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：163pF @ 100V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：超級結(jié)

功率耗散（最大值）：42W（Tc）

不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2 歐姆 @ 1A，10V

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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