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三極管性能的簡易測量 

　　(1) 用萬用表電阻檔測ICEO和β 

　　基極開路，萬用表黑表筆接NPN管的集電極c、紅表筆接發射極e(PNP管相反)，此時c、e間電阻值大則表明ICEO小，電阻值小則表明ICEO大。

　　用手指代替基極電阻Rb，用上法測c、e間電阻，若阻值比基極開路時小得多則表明 β值大。 

　　(2) 用萬用表hFE檔測β

　　有的萬用表有hFE檔，按表上規定的極型插入三極管即可測得電流放大系數β，若β很小或為零，表明三極管己損壞，可用電阻檔分別測兩個PN結，確認是否有擊穿或斷路。

　　4．半導體三極管的選用 

　　選用晶體管一要符合設備及電路的要求，二要符合節約的原則。根據用途的不同，一般應考慮以下幾個因素：工作頻率、集電極電流、耗散功率、電流放大系數、反向擊穿電壓、穩定性及飽和壓降等。這些因素又具有相互制約的關系，在選管時應抓住主要矛盾，兼顧次要因素。

　　低頻管的特征頻率fT一般在2.5MHz以下，而高頻管的fT都從幾十兆赫到幾百兆赫甚至更高。選管時應使fT為工作頻率的3～10倍。原則上講，高頻管可以代換低頻管，但是高頻管的功率一般都比較小，動態范圍窄，在代換時應注意功率條件。

　　一般希望β選大一些，但也不是越大越好。β太高了容易引起自激振蕩，何況一般β高的管子工作多不穩定，受溫度影響大。通常β多選40～100之間，但低噪聲高β值的管子(如1815、9011~9015等)，β值達數百時溫度穩定性仍較好。另外，對整個電路來說還應該從各級的配合來選擇β。例如前級用β高的，后級就可以用β較低的管子；反之，前級用β較低的，后級就可以用β較高的管子。  

　　集電極-發射極反向擊穿電壓UCEO應選得大于電源電壓。穿透電流越小，對溫度的穩定性越好。普通硅管的穩定性比鍺管好得多，但普通硅管的飽和壓降較鍺管為大，在某些電路中會影響電路的性能，應根據電路的具體情況選用，選用晶體管的耗散功率時應根據不同電路的要求留有一定的余量。

　　對高頻放大、中頻放大、振蕩器等電路用的晶體管，應選用特征頻率fT高、極間電容較小的晶體管，以保證在高頻情況下仍有較高的功率增益和穩定性。

光敏三極管在原理上類似于晶體管，只是它的集電結為光敏二極管結構。它的等效電路見圖T313。由于基極電流可由光敏二極管提供，故一般沒有基極外引線(有基極外引線的產品便于調整靜態工作點)。

如在光敏三極管集電極c和發射極e之間加電壓，使集電結反偏，則在無光照時，c、e 間只有漏電流ICEO，稱為暗電流，大小約為0.3 μA。有光照時將產生光電流IB，同時IB被“放大”形成集電極電流IC，大小在幾百微安到幾毫安之間。

　　光敏三極管的輸出特性和晶體管類似，只是用入射光的照度來代替晶體管輸出特性曲線中的IB。光敏三極管制成達林頓形式時，可獲得很大的輸出電流而能直接驅動某些繼電器。

光敏三極管的缺點是響應速度(約5 ～ 10μs)比光敏二極管(幾百毫微秒)慢，轉換線性差，在低照度或高照度時，光電流放大系數  值變小。 

　　使用光敏三極管時，除了管子實際運行時的電參數不能超限外，還應考慮入射光的強度是否恰當，其光譜范圍是否合適。過強的入射光將使管芯的溫度上升，影響工作的穩定性，不合光譜的入射光，將得不到所希望的光電流。例如：硅光敏三極管的光譜響應范圍為0.4 ～ 1.1 μm波長的光波，若用熒光燈作光源，結果就很不理想。 

　　另外，在實際選用光敏三極管時，應注意按參數要求選擇管型。如要求靈敏度高，可選用達林頓型光敏三極管；如要求響應時間快，對溫度敏感性小，就不選用光敏三極管而選用光敏二極管。探測暗光一定要選擇暗電流小的管子，同時可考慮有基極引出線的光敏三極管，通過偏置取得合適的工作點，提高光電流的放大系數。例如，探測10-3勒克斯的弱光，光敏三極管的暗電流必須小于0.1 nA。

晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和PNP兩種三極管，兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。